RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究

LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。

氧化镓衬底GaN基的LED

据报道,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓（Ga2O3）衬底的GaN基LED器件,预计器件及氧化镓衬底可在2011年年末上市,与以前使用蓝宝石衬底的LED相比,每单位面积可流过10倍以上的电流。该器件将适用于前照灯及投影仪等需要高亮度的应用。另外,氧化镓衬底通过简单的溶液生长即可成形,因此这是一种可实现低成本化的技术,还能用于照明等。