利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果．

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺(英文)

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.

分子束外延技术及其进展

由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法已不能满足要求。许多新发展起来的多层异质器件,在某些场合希望组分和掺杂有较陡的分布。

选择外延技术研制 1.5μmDFB激光器和自对准模斑转换器集成器件(英文)

利用选择外延技术研制了 1 5 μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件 .激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料 ,同时可以降低选择性生长对接结构的难度 .所研制集成器件的阈值为 4 4mA ,在 49 5mA下的输出功率为 10 1mW ,边模抑制比为 33 2dB ,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为 9°和 15°,1dB偏调容差分别为 3 6 μm和 3 4μm .

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。

半导体原子层外延技术的现状和展望

物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状和展望。

原子层分子束外延技术

本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.

薄膜与外延技术课程的教学改革探索

本文以《薄膜与外延技术》课程教学为基础,介绍了该课程的主要内容,针对课程教学中存在的问题,总结教学改革方法,包括对教学内容的更新与优化,丰富教学方法以及将教学和科研相结合。通过改革,改善教学效果,提升学生的科学研究能力和创新能力。

分子束外延技术

分子束外延(MBE)是一项外延薄膜生长技术,通过把由热蒸发产生的原子或分子束射到被加热的清洁的衬底上而生成薄膜。这种技术的发展是为了满足在电子器件工艺中越来越高的要求,即对掺杂分布可以精确控制的趋薄层平面结构的要求。利用分子束外延技术。

MOS硅外延技术

本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。

俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器

俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电路元件又能生长高质量HgCdTe膜层的预外延制备技术制备的，其具体制备过程如下：

使用异质外延技术的原子“拼凑”用于下一代半导体器件

来自东京都立大学的研究人员已经生长出原子级薄的过渡金属二硫化物(TMDCs)结晶层,其在空间上具有不同的成分,不断地将不同类型的TMDC“喂”入生长室以定制性质的变化。实例包括由具有原子直接界面的不同TMDC包围的20nm条带和分层结构。他们还直接探测了这些异质结构的电子特性,潜在的应用包括具有超高电源效率的电子产品。

应用材料公司发布高性能晶体管创新外延技术

应用材料公司在AppliedCenturaRPEpi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20nm节点时将外延沉积从PMOS（P型金属氧化物半导体）向NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点，同时不增加关闭状态下的功耗。

应用材料公司发布高性能晶体管创新外延技术

应用材料公司在AppliedCentura@RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS（P型金属氧化物半导体）向NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。