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美国第14届晶体生长及外延会议
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作者 房昌水 《国际学术动态》 2004年第1期47-47,共1页
美国第14届晶体生长及外延会议2002年8月3-9日在西海岸城市西雅图(Seattle,WA)召开,由美国晶体生长协会负责组织。会议主席为Edith Bourret-courchesce和Ken Jackson;美、加、德、英、中、日、瑞士、韩国、新加坡等国250余人参加此... 美国第14届晶体生长及外延会议2002年8月3-9日在西海岸城市西雅图(Seattle,WA)召开,由美国晶体生长协会负责组织。会议主席为Edith Bourret-courchesce和Ken Jackson;美、加、德、英、中、日、瑞士、韩国、新加坡等国250余人参加此次会议。 展开更多
关键词 美国 晶体生长 晶体外延 MeGeCl3 外延薄膜
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晶体生长与外延会议概述
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作者 王弘 《国际学术动态》 2001年第2期38-39,共2页
第12届美国晶体生长与外延会议于2000年8月13~18日在美国Vail市召开,参加会议的有来自中国、日本、印度、美、英、法、德等20多个国家的300多位科学家。
关键词 晶体生产 晶体外延 学术会议 PIT铁电薄膜 碳化硅晶体 单晶生长 氧化锌材料 铝酸钪镁
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晶体生长和外延科学技术
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作者 王继扬 《国际学术动态》 2000年第5期34-38,共5页
2000年4月3日至5日,在美国加里福尼亚州圣迭哥市附近一个风景如画的小城拉荷亚(La Jolla)召开了"晶体生长和外延科学技术—2000"学术研讨会,这是由斯坦坊大学组织的科学研究前沿系列研讨会中的一个会议。据称,该系列会议的信... 2000年4月3日至5日,在美国加里福尼亚州圣迭哥市附近一个风景如画的小城拉荷亚(La Jolla)召开了"晶体生长和外延科学技术—2000"学术研讨会,这是由斯坦坊大学组织的科学研究前沿系列研讨会中的一个会议。据称,该系列会议的信息(包括会期、主题)均于每年初在许多著名科学杂志,包括Nature,Science上发布。这次会议的主题是晶体生长和外延科学技术。 展开更多
关键词 晶体生长 半导体 晶体外延技术 学术研讨会
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新技术使晶体材料走向商业化
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作者 房昌水 《国际学术动态》 2001年第2期40-40,48,共2页
美国第12届晶体生长及外延会议于2000年8月13~18日在美国卡罗拉多州Vail市召开,与会者有美、英、法、德、中、日、印等20余国科技人员。会议内容丰富,包括块状大晶体生长技术及理论、半导体晶体及薄膜材料的研究、氧化物晶体材料及薄... 美国第12届晶体生长及外延会议于2000年8月13~18日在美国卡罗拉多州Vail市召开,与会者有美、英、法、德、中、日、印等20余国科技人员。会议内容丰富,包括块状大晶体生长技术及理论、半导体晶体及薄膜材料的研究、氧化物晶体材料及薄膜、探测器材料、非线性及光折变、激光晶体材料、SiC晶体及外延、Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体生长等。 展开更多
关键词 晶体生产 晶体外延 学术会议 晶体材料 商业化
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高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
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作者 郭康瑾 陈启玙 +6 位作者 徐少华 陈瑞璋 张晓平 肖德元 朱黎明 胡道珊 冯培均 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期136-144,共9页
用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模... 用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模光纤耦合对接.波器件在单模光纤中的入纤功率达35μW,是国内已见报道中最高的结果,带宽195MHz.在四次群传输实验中,无中继传输距由大于20公里. 展开更多
关键词 发光二极管 异质结 外延晶体
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SiC MESFET反向截止漏电流的研究 被引量:4
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作者 崔现锋 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期784-786,共3页
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和... 给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB。该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容。 展开更多
关键词 反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体 氧化 低压化学气相淀积
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4H-SiC MESFET结构与直流特性研究 被引量:1
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作者 徐俊平 杨银堂 +1 位作者 贾护军 张娟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第1期12-14,32,共4页
运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提... 运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。 展开更多
关键词 4H—SiC金属外延半导体场效应晶体 凹栅 埋栅 表面陷阱
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Al_xGa_(1-x)As/GaAs Solar Cell Grown by Multi-substrate Liquid Phase Epitaxy
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作者 CHENTingjin YUANHairong 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1998年第2期128-133,共6页
A novel horizontal push-pull multi-substrate epitaxy boat with three separate cells is introduced in this article, with which multi-substrate LPE processing is feasible in horizontal LPE furnace. The processes of LPE ... A novel horizontal push-pull multi-substrate epitaxy boat with three separate cells is introduced in this article, with which multi-substrate LPE processing is feasible in horizontal LPE furnace. The processes of LPE AlxGa1-x)As/ GaAs solar cells are studied and the efficiency of the solar cells achieved 19.8% (AMO, 25℃, 120 mW/cm2). 展开更多
关键词 Liquid Phase Epitaxy Semiconductor Materials Single Crystal Film Solar Cell
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MOCVD反应器中流场和热场的数值研究 被引量:1
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作者 钟树泉 任晓敏 +2 位作者 黄永清 王琦 黄辉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第21期3270-3277,共8页
利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种... 利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径. 展开更多
关键词 晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场
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Te-seeded growth of few-quintuple layer Bi2Te3 nanoplates 被引量:2
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作者 Yanyuan Zhao Maria de la Mata +6 位作者 Richard L. J. Qiu Jun Zhang Xinglin wen Cesar Magen Xuan P. A. Gao Jordi Arbiol Qihua Xiong 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第9期1243-1253,共11页
We report on a Te-seeded epitaxial growth of ultrathin Bi2Te3 nanoplates (down to three quintuple layers (QL)) with large planar sizes (up to tens of micrometers) through vapor transport. Optical contrast has be... We report on a Te-seeded epitaxial growth of ultrathin Bi2Te3 nanoplates (down to three quintuple layers (QL)) with large planar sizes (up to tens of micrometers) through vapor transport. Optical contrast has been systematically investigated for the as-grown Bi2Te3 nanoplates on the SiO2/Si substrates, experimentally and computationally. The high and distinct optical contrast provides a fast and convenient method for the thickness determination of few-QL Bi2Te3 nanoplates. By aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, a hexagonal crystalline structure has been identified for the Te seeds, which form naturally during the growth process and initiate an epitaxial growth of the rhombohedral- structured Bi2Te3 nanoplates. The epitaxial relationship between Te and Bi2T% is identified to be perfect along both in-plane and out-of-plane directions of the layered nanoplate. Similar growth mechanism might be expected for other bismuth chalcogenide layered materials. 展开更多
关键词 Te nucleation seed epitaxial growth BI2TE3 few-quintuple layer TEM cross-section optical contrast
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Sodium lanthanide fluoride core-shell nanocrystals: A general perspective on epitaxial shell growth 被引量:6
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作者 Noah J. J. Johnson Frank C. J. M. van Veggel 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第8期547-561,共15页
Understanding the structural characteristics and growth mechanism(s) are essen-tial for generating core-shell nano-heterostructures with distinctive properties. Especially in lanthanide-based nanocrystals, rational ... Understanding the structural characteristics and growth mechanism(s) are essen-tial for generating core-shell nano-heterostructures with distinctive properties. Especially in lanthanide-based nanocrystals, rational design of the core-shell composition can be utilized to enhance/tune the optical properties of the final nanostructure, or can be used to integrate multiple functional applications (e.g., luminescent/magnetic). In this article, we review the progress in our current understanding of the epitaxial shell growth in sodium lanthanide fluoride (NaLnF4) nanocrystals. In order to understand epitaxial shell growth the core nanocrystals have to be uniform, and to date the synthesis of high quality near uniform size/shape dispersion controlled synthesis of lanthanide-based nanocrystals has been achieved mainly with this class of nanocrystals. The progress in core-shell synthesis and the epitaxial shell growth mechanism in this class of nanocrystals (NaLnF4) are reviewed, and a general perspective is provided on the core-shell morphology based on different characterization techniques. While there has been tremendous progress in studying the impact of core-shell structures in various functional applications, this review also highlights, in our view, the still limited understanding of ways to control the core-shell morphology and it emphasizes some important, unanswered questions that remain to be addressed to maximize their performance. 展开更多
关键词 upconvertingnanocrystals CORE-SHELL LANTHANIDES EPITAXY
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Epitaxial growth of horizontally aligned single-crystal arrays of perovskite 被引量:2
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作者 Yitan Li Yuguang Chen +4 位作者 Lu Han Xuemei Li Jian Sheng Hao Sun Yan Li 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第1期59-64,共6页
Well-aligned single-crystal nanowire arrays of CH3NH3PbIs have shown potentials in laser sources and photovoltaic applications.Here we developed a solution based epitaxial method to grow CH3NH3PbI3nanowire arrays.By c... Well-aligned single-crystal nanowire arrays of CH3NH3PbIs have shown potentials in laser sources and photovoltaic applications.Here we developed a solution based epitaxial method to grow CH3NH3PbI3nanowire arrays.By confining the precursor solution between a silicon wafer and ST-cut quartz,the evaporation rate of the solvent was slowed down which brings a more stable and controllable solution environment.Relying on the lattice match between CH3NH3PbI3 and ST-cut quartz,arrays of single-crystal nanowires of CH3NH3PbI3have been grown epitaxially.The densities and lengths of CH3NH3PbI3 nanowires can be tuned. The lengths of the resultant crystals range from several microns to over one millimeter.Such CH3NH3PbI3arrays with good alignment and crystallinity were then applied to fabricate photovoltaic devices with good performances. 展开更多
关键词 CH3NH3PbI3 single crystal ARRAYS epitaxial growth tunable lengths
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