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LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究 被引量:1
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作者 王水凤 胡力民 +1 位作者 曾宇昕 曾庆城 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期12-15,共4页
介绍了绿色、红色发光GaP外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 (≤300nm ) 和蓝光 (488nm ) 激发方式, 在室温下, 有效地观测了LEDGaPvN (掺氮GaP晶片) 的多峰PL谱。根据对上述两... 介绍了绿色、红色发光GaP外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 (≤300nm ) 和蓝光 (488nm ) 激发方式, 在室温下, 有效地观测了LEDGaPvN (掺氮GaP晶片) 的多峰PL谱。根据对上述两种发光GaP外延晶片的相对光强与金属杂质Fe、Cu、Ni和Cr (以Fe 为主) 紫外荧光 (UVF) 谱的实测数据的相关性, 展开更多
关键词 外延晶片 洁净度优化 LED-GaP 发光二极管
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体外延晶片的质量评估
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作者 丁国庆 《光通信研究》 北大核心 1998年第3期57-62,共6页
本文介绍了影响半导体异质外延晶片质量的主要因素,检测方法,几个典型测试结果。最后给出了几个外延晶片材料质量评估的参照标准。
关键词 异质结构材料 光荧光谱 半导体外延晶片
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国内首批碳化硅外延晶片厦门投产
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《军民两用技术与产品》 2012年第6期35-35,共1页
国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产,并已接到首笔商业订单,填补了国内该领域空白。2013年,瀚天泰成还计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片;到2016年,... 国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技(厦门)有限公司投产,并已接到首笔商业订单,填补了国内该领域空白。2013年,瀚天泰成还计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片;到2016年,将实现年产碳化硅外延晶片2万片,产值有望达到4.2亿元。 展开更多
关键词 碳化硅半导体 外延晶片 厦门 国内 投产 电子科技 高新区 产业化
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日本厂所合作研发大尺寸SiC外延晶片技术
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作者 申荣 《精细与专用化学品》 CAS 2006年第3期37-37,共1页
日本国立先进工业科技研究所、电力工业中心研究所和昭和电工公司将联合研发大批量生产大尺寸碳化硅(SiC)外延晶片技术,并拟建生产这种晶片的装置。截至目前,三方已分别获得一些研究成果,并利用这些成果共同开发,以演示工业规模... 日本国立先进工业科技研究所、电力工业中心研究所和昭和电工公司将联合研发大批量生产大尺寸碳化硅(SiC)外延晶片技术,并拟建生产这种晶片的装置。截至目前,三方已分别获得一些研究成果,并利用这些成果共同开发,以演示工业规模生产大晶片(直径为3英寸)的技术。三方开发的技术将很快转给他们待建的大晶片新生产装置使用。预计,新装置的生产规模约为100pse/m,2006年10月建成投产。 展开更多
关键词 外延晶片 大尺寸 日本国 技术 研发 SIC 大批量生产 合作 昭和电工公司 电力工业
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激光器外延片质量水平直达世界最高
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《光机电信息》 2007年第10期67-67,共1页
世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目一号厂房在深圳光明新区于10月11日正式投产,“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。
关键词 质量水平 外延 激光器 化合物半导体 世界 产业基地 外延晶片 原材料
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InGaAsP/InP异质结构材料组分、结构的准确测定与综合分析
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作者 王典芬 丁国庆 +1 位作者 魏铭鉴 孙文华 《分析测试学报》 CAS CSCD 1997年第3期1-5,共5页
采用X射线光电子能谱(XPS)对InGaAsP/InP异质结构金属有机化学蒸发沉积(MOCVD)外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式,发现带隙的计算与用光压谱(PVS)实... 采用X射线光电子能谱(XPS)对InGaAsP/InP异质结构金属有机化学蒸发沉积(MOCVD)外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式,发现带隙的计算与用光压谱(PVS)实验值十分吻合;但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由X射线双晶衍射(DCD)测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的XPS元素分析和元素的深度分布分析,以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异,由此得到的有关片子质量的正确判断,有力地证明了XPS是研究MOCVD外延膜材料的得力工具。 展开更多
关键词 半导体表面化学 XPS MOCVD 外延晶片 外延膜材料
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深圳光电产业跻身世界最前列
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《光机电信息》 2007年第11期60-61,共2页
世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目1号厂房最近在深圳光明新区正式投产,“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。这一全球最大的化合物半导体产业基地启动投产,标志着代表21世纪未来的... 世纪晶源科技有限公司暨化合物半导体产业基地首期项目1号厂房最近在深圳光明新区正式投产,“出品”化合物半导体产业链最上游的核心性尖端原材料——外延晶片。这一全球最大的化合物半导体产业基地启动投产,标志着代表21世纪未来的我国这一民族高科技新兴产业,从深圳起步、跨越,迅速站到了世界先进水平的最前列。 展开更多
关键词 光电产业 深圳 世界 化合物半导体 产业基地 外延晶片 新兴产业 高科技
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Unconventional solution-phase epitaxial growth of organic-inorganic hybrid perovskite nanocrystals on metal sulfide nanosheets 被引量:1
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作者 Zhipeng Zhang Fangfang Sun +11 位作者 Zhaohua Zhu Jie Dai Kai Gao Qi Wei Xiaotong Shi Qian Sun Yan Yan Hai Li Haidong Yu Guichuan Xing Xiao Huang Wei Huang 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第1期43-53,共11页
Epitaxial heterostructures based on organicinorganic hybrid perovskites and two-dimensional materials hold great promises in optoelectronics, but they have been prepared only via solid-state methods that restricted th... Epitaxial heterostructures based on organicinorganic hybrid perovskites and two-dimensional materials hold great promises in optoelectronics, but they have been prepared only via solid-state methods that restricted their practical applications. Herein, we report cubic-phased MAPbBr3(MA=CH3NH3+) nanocrystals were epitaxially deposited on trigonal/hexagonal-phased MoS2 nanosheets in solution by facilely tuning the solvation conditions. In spite of the mismatched lattice symmetry between the square MAPbBr3(001) overlayer and the hexagonal MoS2(001) substrate, two different aligning directions with lattice mismatch of as small as 1% were observed based on the domainmatching epitaxy. This was realized most likely due to the flexible nature and absence of surface dangling bonds of MoS2 nanosheets. The formation of the epitaxial interface affords an effective energy transfer from MAPbBr3 to MoS2, and as a result, paper-based photodetectors facilely fabricated from these solution-dispersible heterostructures showed better performance compared to those based on MoS2 or MAPbBr3 alone. In addition to the improved energy transfer and light adsorption, the use of MoS2 nanosheets provided flexible and continuous substrates to connect the otherwise discrete MAPbBr3 nanocrystals and achieved the better film forming ability. Our work suggests that the scalable preparation of heterostructures based on organic-inorganic hybrid perovskites and 2D materials via solution-phase epitaxy may bring about more opportunities for expanding their optoelectronic applications. 展开更多
关键词 organic-inorganic hybrid perovskite transition metal chalcogenide epitaxial growth paper-based photodetector
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