地层结构外延法在塔中隆起古生界多期剥蚀量估算中的应用

许多常用的剥蚀量估算方法存在着局限性.这些方法通常只能估算某一界面的总剥蚀量或者在单期构造活动区估算剥蚀量.采用地层结构外延法,探讨具有多期剥蚀历史的剥蚀量估算.地震剖面综合研究揭示,塔中地区存在3个主要剥蚀界面.对3个主要构造变革期剥蚀量的剖面和平面分布特征的分析表明,塔中地区剥蚀量的分布主要受构造控制;不同时期的剥蚀量分布差异,反映了该区的古剥蚀地貌特征和构造发育演化过程.

用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm^2V^(-1)s^(-1),比文献报道高两个量级.

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。

利用时间外延法预测硫化胶常温老化应力松弛和永久变形性能的研究

利用 4种NBR硫化胶在不同介质中 3年以内的自然老化数据 ,建立了描述硫化胶老化性能与时间关系的P t二元数学模型 ,并根据此模型预测了在长达 30年内不同时间的硫化胶性能 (应力松弛和永久变形 )变化 ,并与试验结果进行了对照。结果表明 ,利用时间外延法所得的硫化胶老化性能的预测值与实测值的符合程度比利用温度外推法好 。

液相外延法制备LiNbO_3薄膜的研究和进展

讨论了液相外延法制备LiNbO3 薄膜过程中 ,衬底和助熔剂的选择对LiNbO3 薄膜制备的影响及掺杂改性问题 ,简要地介绍了LiNbO3 薄膜的一些性能及光学应用。研究表明 ,目前可用液相外延法在LiTaO3 、掺镁 (5mol% )的同成分LiNbO3 及纯的同成分或近化学计量比LiNbO3 单晶衬底上制备出具有较高光学质量的LiNbO3 薄膜。讨论了液相外延法制备LiNbO3 薄膜过程中存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向。

利用时间外延法预测硫化胶常温扯断伸长率变化的方法研究

测试了NR,NBR和CR等6种硫化胶长达34年的室内自然老化(扯断伸长率变化)数据,利用前3年内试验数据建立了P t二元数学模型来预测硫化胶在34年内不同时间的扯断伸长率变化,并与试验数据进了对比,两者较为吻合,证明利用时间外延法预测硫化胶常温下扯断伸长率变化是可行的。

外延法生长金刚石薄膜场发射特性研究

研究了外延法生长金刚石薄膜的场发射特性.金刚石薄膜用热丝CVD法生长,甲烷与氢气比例为2.5%,生长于事先电泳沉积在硅衬底的金刚石微晶上.实验数据的计算结果表明:金刚石薄膜的阈值电压为1.8V/μm,有效功函数降低为纯金刚石颗粒的0.11倍.通过SEM、XRD和Raman等手段表征了金刚石薄膜的结构,并对其场发射机制作出理论分析.

衬底温度及退火对液滴外延法生长InAs量子点的影响

研究了In液滴法生长InAs量子点时不同衬底温度,以及是否引入退火的量子点生长情况并建立了物理模型。发现In原子沉积在衬底表面会首先沿[11-0]方向形成条状量子线,由于表面能会趋于最小,量子线会分裂成小段成为量子点的核心,当衬底温度从460℃上升至480℃时,量子点增多的同时量子线减少,且纳米结构的平均高度从4.09nm上升至4.58nm。在衬底温度为480℃的条件下引入退火后,扫描区域内只存在量子点结构,纳米结构平均高度上升至8.56nm。认为In液滴法生长量子点,是一个先形成量子线,量子线再分裂形成量子点的核心,继而捕捉由ES势垒束缚在台阶边缘的原子形成量子点的过程,退火的引入会促进量子线-量子点的转化,提高尺寸均匀性,并由此建立了物理模型。

基于着火延迟数据的外延法预测燃料的十六烷值

前期工作提出了一种用基础参比燃料骨架机理根据滞燃期数据预测燃料十六烷值的方法。该方法受到参比燃料的组分（即正十六烷和异十六烷）自身十六烷值的限制，不适用于十六烷值超出15～100的燃料。针对这一问题，进一步提出了根据混合物的十六烷值，通过线性拟合方法预测十六烷值超出15～100的燃料的十六烷值，即外延法。结果表明，外延法可以预测十六烷值超出15～100的燃料的十六烷值，并且外延法无需已知纯燃料的十六烷值，但其具有误差累计特性。

制图外延法自组装有序纳米微结构的研究

如何低成本、大规模地实现纳米材料的控制合成与组装一直是纳米加工中的热点问题。文中提出了制图外延法自组装有序纳米微结构的新方法,实现了对有序纳米微结构的调控。

原子层外延法生长金刚石

原子层外延生长(ALE)最初被设想为生长半导体化合物的一种方法,生长层具有大面积的非凡均匀性,层面厚度能被精确控制。当应用于金刚石时,ALE不仅仍保持上述特性,而且致力于解决悬挂碳键/石墨夹杂物问题。

液相外延法制备金属-有机骨架薄膜及其应用

金属-有机骨架化合物(MOFs)在微纳米器件、传感器、功能性涂膜和电催化等领域的应用通常要求MOFs生长于各种基底表面形成MOFs薄膜。近年来,制备MOFs薄膜的方法得到了极大的发展,其中液相外延法(LPE)结合自组装单分子层(SAMs)是目前制备高质量MOFs薄膜最重要的技术之一。总结了LPE与SAMs相结合的技术在制备厚度、形貌、晶体取向以及组分可控的MOFs薄膜方面取得的重要成果,介绍MOFs薄膜在气体选择性吸附、光伏器件和电子器件领域的应用。最后提出LPE法制备MOFs薄膜面临的问题以及今后的发展方向,以期MOFs在传感器、光电器件和电催化领域取得更多成果。

用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(下)

四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p^+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p^+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡条律下,在不生长任何附加外延层的情况下,进行砷扩散。通过将MBE HgCdTe外延层置于含有溶解砷的Hg溶液中来形成p^+-n结;

用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(上)

用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20<x<0.30),已制备了长波和中波红外(LWIR,MWIR)的p^+-n光电二极管。外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x)是均匀的,标准偏差(Ax)低达0.0017。用双晶X射线摆动曲线和位错腐蚀法测定结构特性,测得在半最大值的全带宽(FWHM)低达34 arc sec,腐蚀坑的密度低达1×10~5m^(-2)。通过砷扩散形成p^+-n同质结;用标准的光刻技术制备无钝化的台面光电二极管.用MBE材料制备的MWIR和LWIR光电二极管呈现出良好的二极管性能,可与较成熟的液相外延技术制备的光电二极管所获得的性能相匹敌。对截止波长为4.66,9.96和12.90μm的二极管测得的77K的R_0A积分别是6.35×10~7,22.3和1.76Ωcm^2。对于在35K截止波长为16.23/μm的超长波红外(VLWIR)光电二极管的R_0A积,是1.36×10~2Ωcm^2。没有防反射涂层的LWIR二极管的量子效率为48.6％。此结果意味着;在论证MBE作为制备大的红外焦平面阵列的一种可行的生长技术方面,迈出了重要的一步。

高玉竹：熔体外延法的发明应用

据悉，目前中国还没有8～12um波段、可供实用的室温半导体红外探测器，而这种探测器具有无需制冷、响应速度快、体积小、携带方便、可靠性好等优点，在军事上迫切需要研制并且具有重要的应用价值，因为美国等西方国家对中国采取了技术封锁。对此，同济大学电子与信息工程学院的高玉竹教授介绍，目前中国在这一波段主要使用低温工作的Ⅱ～Ⅵ族的HE：CdTe（碲镉汞）探测器。