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外延淀积过程中的自掺杂抑制 被引量:11
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作者 李智囊 侯宇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期118-120,123,共4页
 外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数。文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改善器件的特性参数。
关键词 外延淀积 自掺杂抑制 杂质浓度 杂质扩散 半导体器件
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注As或扩Sb埋层对硅外延淀积的影响
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作者 谢明纲 《上海半导体》 1991年第2期19-22,45,共5页
关键词 晶体管 集成电路 AS 外延淀积
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硅烷外延淀积多晶硅 被引量:1
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作者 张秦生 周鸣新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期42-47,共6页
SiH_4-H_2-HCl系统用于淀积多晶硅膜,有着SiCl_4外延无法比拟的优越性,其生长温度最佳值在1050℃,生长速度从实验趋势上来看远远超过了SiCl_4外延.外延质量也比SiCl_4外延好.所以,在一些特殊器件的制造中采用本系统是完全必要的.
关键词 硅烷 外延淀积 多晶硅
全文增补中
肖特基器件用重掺As衬底上外延层过渡区控制 被引量:6
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作者 袁肇耿 赵丽霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期439-441,共3页
掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素。通过一系列实验,找到了合理的生长条件,得到了完... 掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及赶气等因素。通过一系列实验,找到了合理的生长条件,得到了完美的过渡区,解决了器件反向电压和正向压降之间的矛盾。在反向电压一致的条件下,正向压降平均降低了200mV,产品整体成品率提高了两个百分点以上。研究结果已成功应用于大规模生产中。 展开更多
关键词 外延淀积 自掺杂 过渡区 杂质浓度
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蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究 被引量:1
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作者 袁凤坡 梁栋 +3 位作者 尹甲运 许敏 刘波 冯志宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期497-500,共4页
通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1... 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1970 cm2/V.s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V.s。 展开更多
关键词 金属有机化学气相外延淀积 氮化镓 铝镓氮/氮化镓 异质结 二维电子气
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Study on Synchro-Epitaxy of Poly-and Single Crystal Silicon
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作者 胡冬青 李思渊 王永顺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1381-1385,共5页
Synchro-epitaxy is introduced and a “two periods epitaxy” process is proposed.The influence of the flows of SiH 4 N 1,N 2,deposition time t 1,t 2,and epitaxial temperature T on epilayer quality (embodied by α)... Synchro-epitaxy is introduced and a “two periods epitaxy” process is proposed.The influence of the flows of SiH 4 N 1,N 2,deposition time t 1,t 2,and epitaxial temperature T on epilayer quality (embodied by α) is reported.The shorter initial inducing time t 1 and larger flows of SiH 4 are,the wider single crystal strips are.But the quality of epilayer may be poor.The optimum conditions are:N 1=13.1~17.5sccm,N 2=7.0~7.88sccm,and t 1=30~50s.The influence of temperature is complex:when T is lower than 980℃,single crystal strips increase with T ;when T is higher than 980℃,single crystal strips decrease with T.It reaches maximum near 980℃. 展开更多
关键词 synchro-epitaxy NUCLEATION CVD
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单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法
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作者 《红外》 CAS 2004年第10期27-27,共1页
美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是。
关键词 单片铅-盐红外辐射探测器 微测辐射热计 分子束外延淀积技术 结构设计
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