军人心理素质概念外延结构的初步调查研究

军人的心理素质是军事心理学的重要研究课题。本研究建立由 3 0个描述心理素质的单词构成的评定量表 ,选择来自连营级、团师级和军以上 3个组共 94名评定专家对每个条目进行评分 ,并根据两个标准 (通过率 80 %以上、平均值 1 0 0以上 )进行筛选。对筛选出的 18个条目进一步分析后发现 ,无论是在内容还是在范围上 ,这 18个条目与教育和心理学专家所提出的心理素质概念的基本组成部分均基本一致 ,但同时在某些方面也表现出军队的特殊要求。初步说明这

GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构及其LP-MOCVD生长工艺研究

在低压金属有机化学气相沉积生长工艺中,对用于制作850nm垂直腔面发射激光器件的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱外延结构的生长温度、反应室压力、总载气流量以及生长速度等主要工艺参量进行优化,并进行了完整外延结构的生长.实验结果表明:在700℃条件下,得到多种组分的GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱结构,通过光致发光谱对比测试得到的最佳组分x为0.24,同时得到良好的表面形貌,最终确定的最佳生长速度为0.34~0.511nm/s.

“纳米外延结构成像技术”报告会在上海召开

经上海市纳米科技与产业发展促进中心、上海市标准化协会联合邀请，2005年7月28日下午，美国密西根大学应用物理系主任，美国KSA有限公司董事长Roy Clarke教授在上海市纳米科技与产业发展促进中心作了“纳米外延结构成像技术”的报告。Clarke教授介绍了由其领导的研究小组和相关成果。

地层结构外延法在塔中隆起古生界多期剥蚀量估算中的应用

许多常用的剥蚀量估算方法存在着局限性.这些方法通常只能估算某一界面的总剥蚀量或者在单期构造活动区估算剥蚀量.采用地层结构外延法,探讨具有多期剥蚀历史的剥蚀量估算.地震剖面综合研究揭示,塔中地区存在3个主要剥蚀界面.对3个主要构造变革期剥蚀量的剖面和平面分布特征的分析表明,塔中地区剥蚀量的分布主要受构造控制;不同时期的剥蚀量分布差异,反映了该区的古剥蚀地貌特征和构造发育演化过程.

Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究

本文测量并分析了不同组分的Si1-xGex合金的椭偏光谱，得到了能量范围为2.0～5．0eV内的主要临界点的能量与Ge的组分的关系，给出用椭偏光谱分析Si1-xGex合金厚度和Ge组分的方法．

Si缓冲层生长温度对SiGe外延层结构的影响

用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

镓特半导体发布GaN-on-GaN垂直器件外延结构

垂直氮化镓功率器件具有革新功率器件产业的潜力,尤其在对电压有较高要求方面的应用,如600V以上的垂直氮化镓器件。根据材料的物理特性,相较于传统的硅基功率器件和新出现的纯碳化硅功率器件,在特定的击穿电压下,氮化镓器件的导通电阻更低。水平氮化镓功率器件,即硅基氮化镓高迁移率晶体管(HEMTs)与硅器件在低电压市场竞争,氮化镓更胜一筹,这也证明了氮化镓材料的优越性。垂直氮化镓功率器件将有望与纯碳化硅功率器件角逐高电压市场。在前两年,碳化硅器件在高电压应用市场获得了一定的市场份额,一些公司已扩产了6英寸和8英寸的碳化硅。相比之下,垂直氮化镓器件还未进行商业化销售,且仅有极少的供应商能生长出直径为4英寸的氮化镓晶圆片。增加高质量的氮化镓晶圆片的供应对于垂直氮化镓器件的发展至关重要。

在Si(111)面上外延生长的OsSi_2电子结构的研究

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为OsSi2(101)//Si(111),取向关系为OsSi2[010]//Si<011>的OsSi2平衡体系及附近各点的电子结构进行了理论计算。计算结果表明:当1.005nm≤a≤1.030时,且带隙值随着晶格常数a取值的增大而减小。当a取值为10.20时,体系处于稳定状态,此时OsSi2是具有带隙值为0.628eV的间接带隙半导体。

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式．研究表明，失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关．随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加，失配位错在上界面的数目增多。

MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究

本文利用X射线双晶衍射方法,研究了分子束外延(MBE)GaAs/CaP(001)异质外延层的结构参数——晶格常数、晶胞体积.根据X射线衍射动力学理论和运动学理论分别对双晶衍射摇摆曲线的峰角位置进行了修正,二者吻合很好.修正后的结果表明:X射线双晶衍射测量中会引入一定的晶胞体积缩小量,修正后外延层的晶胞体积略大于自由状态GaAs单晶的晶胞体积,这里根据Poisson关系对 GaAs/GaP外延层晶胞体积的增大进行了解释.

GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质

在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77～300K温度和1018～10-2A/cm2电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs（b）/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱.

应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用

用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.

1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长

基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.

ZnO／SiC／Si异质结构的特性

用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO／SiC／Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性．结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．

科学方法的深层内涵结构

把握科学方法的结构,是深入理解科学方法这个看似简单,分析起来挺复杂的对象的前提。然而,关于科学方法结构问题的研究是相当欠缺的。关于科学方法的结构研究一直着眼于对各种方法之间的相互关系的研究:研究者在弄清科学方法分类的基础上,考察各种方法的特点和它们的相互关联。这种研究所得到的只是科学方法的外延结构,或称宏观结构。例如人们常将科学方法分为经验方法、理论方法、综合性方法。那末科学方法就由这三类方法结构成一个整体,它的外延即等于这三类方法外延之和。

浅谈LED外延生长的量子限制斯塔克效应

氮化物体系LED由于存在大的极化效应,量子限制斯塔克效应显著,即量子阱的能带发生倾斜,电子和空穴在空间分离,辐射复合效率下降。通过引入新型外延结构,可以降低极化电场的影响,从而提高内量子效率。本文采用阶梯型量子阱的新结构设计削弱量子限制斯塔克效应,提高电子和空穴的有效辐射复合几率。

论计划调节与市场调节的综合结构及其优化

一、有计划的商品经济是一种新型的经济制度。计划调节和市场调节的关系是溶合关系,即共性的发展和差异的互补。人们在讨论计划与市场的关系时。要么把经济制度(计划经济)与调节方式(市场调节)这两个不同层次的概念并列起来、在理论上引起混乱。

控制策略在现场实现和现场总线系统结构问题的讨论

对控制策略在现场总线现场设备实现在性能和可靠性的影响进行了仿真分析,这些分析在实际应用中已得到了印证。简单介绍了故障树形分析法并分析系统结构对可靠性影响。

高功率转换效率905 nm垂直腔面发射激光器的设计与制备

通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率是影响功率转换效率的主要因素的结论.为获得高功率转换效率,通过对有源区量子阱、P型和N型分布布拉格反射镜(DBR)等进行优化,设计出了905 nm VCSEL的外延结构并进行了高质量外延生长.成功制备出了不同氧化孔径的905 nm VCSEL器件,获得的最大斜率效率为1.12 W/A,最大转换效率为44.8%.此外,探究了氧化孔径对VCSEL的远场和光谱特性的影响.这种具有高功率转换效率的905 nm VCSEL器件为激光雷达的小型化、低成本化提供了良好的基础数据.