外延缺陷对分布反馈半导体激光器可靠性的影响

通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性。设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片早期失效率低且长期可靠性良好。本文证明反向电压测试可以用于DFB激光器芯片的测试标准,作为DFB激光器芯片可靠性的有效筛选手段。