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GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质
1
作者
管玉国
《半导体杂志》
1996年第2期10-11,共2页
在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-S...
在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱.
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关键词
硅
砷化镓
外延pn结构
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职称材料
题名
GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质
1
作者
管玉国
出处
《半导体杂志》
1996年第2期10-11,共2页
文摘
在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱.
关键词
硅
砷化镓
外延pn结构
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质
管玉国
《半导体杂志》
1996
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