期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质
1
作者 管玉国 《半导体杂志》 1996年第2期10-11,共2页
在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-S... 在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱. 展开更多
关键词 砷化镓 外延pn结构
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部