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有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
被引量:
2
1
作者
陈奇志
褚武扬
颜庆云
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期1-5,共5页
利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的L12相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程.实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO1...
利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的L12相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程.实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO19相的核胚.
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关键词
Fe3Ge
FCC
HCP
外禀层错
有序合金
相变温度
下载PDF
职称材料
题名
有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
被引量:
2
1
作者
陈奇志
褚武扬
颜庆云
机构
北京科技大学材料物理系
香港大学机械工程系
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
利用TEM的高温台原位观察了Fe3Ge的L12相在780℃(在700℃以上L12转变为DO19)出现缺陷的过程.实验发现首先形核的是外禀层错,外禀层错比孤立的内禀层错扩展得快,并且扩展得较宽,它们有可能长大成为DO19相的核胚.
关键词
Fe3Ge
FCC
HCP
外禀层错
有序合金
相变温度
Keywords
Fe 3 Ge, FCC, HCP, extrinsic stacking fault, TEM
分类号
TG111.2 [金属学及工艺—物理冶金]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有序合金中FCC→HCP相变温度内出现的缺陷
陈奇志
褚武扬
颜庆云
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
下载PDF
职称材料
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