辅助镀膜用K系列强流宽束考夫曼离子源

文章介绍了新型K系列多会切场强流宽束离子源（MCLB-8，16，18）。由于采用新型多会切磁场和优化的引出系统，该系列源在薄膜辅助沉积的能量（200-1000eV）范围内，具有良好的低能特性和束流分布均匀性，可使用反应气体或惰性气体工作。因此该系列源可用于各种高性能薄膜制备的大面积辅助沉积，也可用于制备大面积类金钢石膜（DLC）。文中介绍了该系列源的结构及性能。

16厘米低能强流宽束离子源

介绍了一个新型16厘米束径多会切磁场低能强流宽束离子源(MCLB-16)。由于采用新型多会切磁场和优化的低能引出系统,所以该源在薄膜辅助沉积的能量(200eV～800eV)范围内,具有较好的低能特性。源的最大引出束流可达650mA。可用反应气体或惰性气体工作。源在使用氧气时,可连续工作数十小时。该源可用于各种高性能薄膜制备的辅助沉积,也可用于制备大面积类金钢石膜(DLC)。叙述了该源的结构及性能。