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基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计
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作者 刘维祎 孙亚男 何卫锋 《电子科技》 2022年第4期8-13,共6页
在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题。三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑操作数目和更快的运算速度。文中提出了一种基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计,其中三值逻... 在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题。三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑操作数目和更快的运算速度。文中提出了一种基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计,其中三值逻辑电路的输入与输出均通过多值RRAM的阻值表示。该结构支持两种三值逻辑门和一种二值逻辑门以提升计算速度。实验结果显示,相比于传统的二值存内逻辑电路设计,三值存内逻辑电路加法器可以减少68.84%的操作步数。相比于传统的IMPLY逻辑电路设计,三值存内逻辑电路加法器可以降低33.05%的能耗。 展开更多
关键词 存内逻辑 存储墙 阻变存储器 RRAM交叉阵列 多值单元 混合CMOS-MLC 加法器 碳纳米晶体管
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基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究 被引量:1
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作者 陈珂 杜智超 +2 位作者 叶松 王颀 霍宗亮 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2619-2625,共7页
为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈... 为减小共源线噪声对NAND闪存读可靠性的影响,设计了一种可实现C/F(Coarse/Fine)读取操作的页缓存器电路,并设计实现了适用于此电路的C/F读取算法,显著减小了共源线噪声.该算法通过两次子读感应读取存储单元,在第一次子读感应中分辨出阈值电压较低的存储单元并标记在页缓存器中,使其不再进行第二次子读感应,从而减小共源线噪声引起的阈值偏移.电路仿真计算表明,该支持C/F读取算法的页缓存器结构能够减小阈值偏移至少495. 6mV,有效提高了NAND闪存读操作的精确性. 展开更多
关键词 NAND闪存 多值存储单元 页缓存器 Coarse/Fine读取算法 读可靠度
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Cross-Listing and Valuation Effects" Evidence From Nairobi Securities Exchange
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作者 Kennedy Munyua Waweru Ganesh P. Pokhariyal Muroki F. Mwaura 《Journal of Modern Accounting and Auditing》 2012年第9期1371-1380,共10页
The purpose of this study is to analyze the valuation effects of cross-listing. The study has conducted a univariate analysis of the Tobin's Q and the market-to-book ratio for the period before and after the cross-li... The purpose of this study is to analyze the valuation effects of cross-listing. The study has conducted a univariate analysis of the Tobin's Q and the market-to-book ratio for the period before and after the cross-listing by using paired tests. Non-cross-listed firms are then included in multivariate regressions by using pooled Time Series Cross Section (TSCS) and Panel Corrected Standard Error (PCSE) regressions for a period of 13 years to find out if there is a difference in the valuations between cross-listed firms and non-cross-listed firms. The study's results indicate that the Tobin's Q of cross-listed-firms increases two years prior to cross-listing and that it continues to increase two years after cross-listing. The market-to-book ratios also show an increase two years prior to cross-listing and up to one year after cross-listing, then decrease in the second year after cross-listing. When non-cross-listed firms are included in the analysis, results indicate that cross-listed firms are valued higher than non-cross-listed firms. When data are portioned for positive earnings per share (EPS) and dividends, results indicate that valuation is the highest when EPS is positive. Since segmentation theories cannot be ruled out, the study's findings are more in support of the growth opportunity hypothesis. 展开更多
关键词 CROSS-LISTING valuation effects Tobin's Q market-to-book ratio
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Bivariate Simplex Spline Quasi-Interpolants
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作者 D.Sbibih A.Serghini A.Tijini 《Numerical Mathematics(Theory,Methods and Applications)》 SCIE 2010年第1期97-118,共22页
In this paper we use the simplex B-spline representation of polynomials or piecewise polynomials in terms of their polar forms to construct several differential or discrete bivariate quasi interpolants which have an o... In this paper we use the simplex B-spline representation of polynomials or piecewise polynomials in terms of their polar forms to construct several differential or discrete bivariate quasi interpolants which have an optimal approximation order.This method provides an efficient tool for describing many approximation schemes involving values and(or) derivatives of a given function. 展开更多
关键词 Polar form QUASI-INTERPOLATION simplex B-spline.
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2B2R结构下高可靠性多值存储方法 被引量:1
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作者 徐乐 解玉凤 林殷茵 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期209-214,共6页
设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存... 设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度,并且改善了工艺波动对数据读出的影响,结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点,使得相变存储器在高密度,高可靠性的应用场合有着良好的前景. 展开更多
关键词 相变存储器 多值存储 多值存储单元 2T2R 282R
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相变存储器多态存储方法 被引量:4
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作者 刘欣 周鹏 +6 位作者 林殷茵 汤庭鳌 赖云峰 乔保卫 冯洁 蔡炳初 BOMY CHEN 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期95-100,共6页
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方... 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景. 展开更多
关键词 微电子技术 相变存储器 多值存储 多值存储单元
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