纳米存储器的多值逻辑设计研究

为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度。

优化数字系统的多值逻辑设计与结构化设计

通过实例阐述了多值逻辑设计在芯片面积相同的情况下 ,可因逻辑值的增加而迅速增加信息携带量 ,提高空间和时间的利用率 结构化设计的关键是将硬件的自然描述语言映射为VHDL模型 ,把集成系统划分为寄存器传输级子系统 ,进而实现快捷的低成本设计 。