242—260nm波长区CS_2分子的多光子解离电离

在242－260nm波氏范围通过CS2分子的共振增强多光子电离（REMPI）获得了母体离子CS和碎片离子的分质量激发谱．在λ＜246.4nm区间，CS激发谱上呈现出来源于CS2双光子电离的弥散谱带,碎片离子激发谱的归属强烈提示多光子过程中有中性基电子态的CS和S（经由CS2的光解离）产生：（1）CS+的谱带主要来源于中性CS碎片经由单光子跃迁产生的（1＋1）共振增强电离，（2）除了部分S+的谱峰来自CS+的光解外，多数S+的锐谱峰来自中性S原子经由3p3（2D0）4p，3p3（4S0）np（n＝6，7，8）←3p43pJ（J＝2，1,0）双光子跃迁产生的（2＋1）共振增强电离．

390.60nm激光作用下Si(CH_3)_4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离

在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱,在较低能量的激光作用下主要检测到了Si（CH3）+、Si+、C2+等离子的信号,有时甚至只检测到了Si+离子的信号;在较高能量的激光作用下主要检测到了Si（CH3）+H（n=1,2,3,4）、Si+、C2+甚至还有SiC3+,SiC2+等离子的信号。据此并结合以前得到的结论,讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si+主要来自于Si（CH3）4的多光子解离-Si原子的（1+1）电离,Si（CH3）+H（n-1,2,3）主要来自于Si（CH3）H（n=1,2,3）的（3+1）电离、Si（CH3）+4来自于Si（CH3）4的（3+1）电离的结论。

飞行时间质谱法研究Si(CH_3)_4分子的多光子解离和电离过程

采用超声分子束技术 ,以飞行时间 (TOF)质谱仪 ,于 410～ 371nm内 ,在不同能量的激光作用下 ,着重检测了气相Si(CH3 ) 4分子在 15个波长点处的多光子电离 (MPI)TOF质谱分布。根据实验结果 ,讨论了Si(CH3 ) 4可能的MPI机理。得到了Si+ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离—硅原子的共振电离、Si(CH3 ) + n(n=1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离、而Si(CH3 ) + 4则来自于母体分子的 (3+1)电离的结论。

丙酮分子多光子解离/电离过程研究

利用分子束和飞行时间质谱技术实验研究了丙酮分子多光子解离／电离的动力学过程，并通过建立丙酮分子的多光子解离／电离模型，用速率方程对两个解离通道进行了理论分析。

飞秒脉冲作用下氯丙烯的多光子解离和电离动力学（英文）

利用飞秒激光脉冲,在200、400和800 nm下对氯丙烯(C_3H_5Cl)的光解离和电离动力学进行了研究。实验测量了氯丙烯在飞秒脉冲作用下的飞行时间质谱、光强指数以及光电子影像。结果发现在短波(200 nm)时,母体分子的电离为主要通道,而其他离子均来源于C_3H_5Cl^+的解离。当波长移动到长波(800 nm)时,碎片离子就占据了主导。这些碎片离子来源于中性碎片的多光子电离过程,而这些中性碎片又是由C_3H_5Cl的中间态直接解离而产生的。这意味着,光解离过程起到非常重要的作用。这是因为800 nm可以激发分子达到能够产生中性碎片的中间态。在400 nm时,虽然中间态的解离过程仍然至关重要,但并没有在800 nm时明显。综上所述,本文的研究证实了氯丙烯的光解离/电离行为具有波长依赖性,并揭示了氯丙烯在200、400和800 nm飞秒激光作用下的复杂动力学过程。

355nm激光作用下Si(CH_3)_4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)