用于ULSI制造的等离子体浸没离子注入反应装置

一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性气体等离子体金属吸杂、用SiF_4等离子体使样品预非晶化然后用BF_3等离子体掺杂形成亚-100nmP^+/N结、沟道保角P^+掺杂以及选择性铜无电镀Pd离子活化注入。 PⅢ系统由电子回旋共振等离子体源、带晶片偏压电源的处理室、带偏压电源的溅射靶、气体处理和等离子体诊断部件组成。本文将介绍该装置及等离子体特性和反应装置的性能。

用于材料表面强化处理的第三代多功能PⅢ装置

第三代多功能等离子体浸没离子注入 (PIII)装置的强流脉冲阴极弧金属等离子体源既具有强的镀膜功能 ,同时也具有强的金属离子注入功能 ;它的脉冲高压电源能输出大的电流 ;并可获得高的注入剂量均匀性。该装置既能执行离子注入 ,又能把离子注入与溅射沉积 ,镀膜结合在一起 ,形成多种综合性表面改性工艺。本文描述了它的主要设计原则、主要部件的特性以及近期的研究工作成果。