本文对气固表面分子相互作用过程进行了新的考察。在表面吸附量少时,能量分布形式为1/K_BT e^(-E/K_BT),在表面吸附量多时为ge^(-E/K_BT)。当解吸位阱的解吸能为E_d时,可以分别得到相应于两种分布的一次相遇反应概率表达式 P_m=integral...本文对气固表面分子相互作用过程进行了新的考察。在表面吸附量少时,能量分布形式为1/K_BT e^(-E/K_BT),在表面吸附量多时为ge^(-E/K_BT)。当解吸位阱的解吸能为E_d时,可以分别得到相应于两种分布的一次相遇反应概率表达式 P_m=integral from E_0 to ∞1/K_BT e^(-E/K_BT)dE/integral from E_d to ∞ 1/K_BT e^(-E/K_BT)dE和 P_d=integral from E_0 to ∞ ge^(-E/K_BT)dE/integral from E_d to ∞ ge^(-E/K_BT)dE。能量传递效率随温度升高而降低是分子能量分布转变的自然结果,催化作用的起因是深的解吸位阱的存在,振动能量调节系数的数值可以大于1。新处理法在定性和定量方面都是成功的。展开更多
文摘本文对气固表面分子相互作用过程进行了新的考察。在表面吸附量少时,能量分布形式为1/K_BT e^(-E/K_BT),在表面吸附量多时为ge^(-E/K_BT)。当解吸位阱的解吸能为E_d时,可以分别得到相应于两种分布的一次相遇反应概率表达式 P_m=integral from E_0 to ∞1/K_BT e^(-E/K_BT)dE/integral from E_d to ∞ 1/K_BT e^(-E/K_BT)dE和 P_d=integral from E_0 to ∞ ge^(-E/K_BT)dE/integral from E_d to ∞ ge^(-E/K_BT)dE。能量传递效率随温度升高而降低是分子能量分布转变的自然结果,催化作用的起因是深的解吸位阱的存在,振动能量调节系数的数值可以大于1。新处理法在定性和定量方面都是成功的。