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阵列多台阶稀疏技术 被引量：7
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作者 李建新 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期79-80,78,共3页
本文探讨了用多个幅度台阶（包括0和1）对阵列进行稀疏的多台阶稀疏技术，与统计密度锥削稀疏技术（幅度仅用0和1）相比，该技术能明显改善稀疏阵天线的副瓣电平，文中用概率方法和最佳一致逼近概念进行了详细阐述，并给出了峰值副瓣电... 本文探讨了用多个幅度台阶（包括0和1）对阵列进行稀疏的多台阶稀疏技术，与统计密度锥削稀疏技术（幅度仅用0和1）相比，该技术能明显改善稀疏阵天线的副瓣电平，文中用概率方法和最佳一致逼近概念进行了详细阐述，并给出了峰值副瓣电平低于给定值的概率． 展开更多
关键词 稀疏阵 多台阶稀疏技术 峰值副瓣电平 天线
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