［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射

对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别．

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究

半导体超晶格的多声子拉曼散射研究／张树霖，杨昌黎，侯勇田（北京大学物理系北京１００８７１）彭中灵，李杰，袁诗鑫（中科院上海技物所上海２０００８３）Ｒ．Ｐｌａｎｅｌ（ＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬａｂｏｒａｔｏｒ...

CdSe／ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研究

在ＣｄＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格中观察到了超晶格的微观界面模的基础上，本文主要研究了这种微观界面模的多声子散射，结果表明我们首次观察到了达４级的微观界面模的多声子喇曼散射，它具有不同于光学类体模多声子谱的光谱特征及共振行为，通过分析，我们认为这种不同正是微观界面模具有强烈的局域特性的反映．

Al_xZn_(1-x)O纳米颗粒的光电特性研究

本文以溶胶-凝胶法制备Alx Zn1-x O(x=0,0.05,0.1,0.15)纳米颗粒,利用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱及光致荧光光谱探讨Al掺杂对纳米颗粒光电特性的影响。研究结果表明:一方面,Al掺杂会导致样品晶粒大小均匀性变差,使得晶界数量变多,而晶界中存在的缺陷、悬键及杂质将对纳米颗粒的特性造成不良影响。另一方面,Al掺杂会导致样品结晶性变差,进而产生较多的多声子散射现象,使得非辐射复合效应增强。此外,Al掺杂对VO缺陷无明显影响,也不会导致量子局限效应出现。