高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究

研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。

平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法

详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。

高阻衬底集成电路抗闩锁效应探讨

闩锁效应会严重导致电路的失效,甚至是烧毁芯片.采用增加多子保护环的方法来抑制功率集成电路的闩锁效应,而且给出环宽设计、环距与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并且比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于给定的设计规则,比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明了合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应.