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正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比
1
作者
傅春寅
鲁永令
曾树荣
《电子科学学刊》
CSCD
1990年第2期208-215,共8页
正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量...
正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比C_D/C_x。
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关键词
多子陷阱
载流子
俘获率
P-N结
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职称材料
题名
正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比
1
作者
傅春寅
鲁永令
曾树荣
机构
北京大学物理系
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1990年第2期208-215,共8页
基金
第三世界科学院资助课题(TWAs.RG.86-11)
文摘
正向小注入下分析了P^+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比C_D/C_x。
关键词
多子陷阱
载流子
俘获率
P-N结
Keywords
Semiconductor
p-n junction
分类号
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比
傅春寅
鲁永令
曾树荣
《电子科学学刊》
CSCD
1990
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