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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
被引量:
2
1
作者
谢欣云
刘卫丽
+3 位作者
门传玲
林青
沈勤我
林成鲁
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期189-193,共5页
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词
绝缘埋层
氮化
硅
薄膜
SOI结构
多孔硅外延转移
下载PDF
职称材料
SOIM新结构的制备及其性能的研究
被引量:
2
2
作者
谢欣云
林青
+3 位作者
门传玲
刘卫丽
徐安怀
林成鲁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期207-210,共4页
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果...
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
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关键词
制备
氮化
硅
薄膜
二氧化
硅
薄膜
SOIM新结构
多孔硅外延转移
电绝缘隔离性能
原文传递
题名
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
被引量:
2
1
作者
谢欣云
刘卫丽
门传玲
林青
沈勤我
林成鲁
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期189-193,共5页
基金
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 )
国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
文摘
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词
绝缘埋层
氮化
硅
薄膜
SOI结构
多孔硅外延转移
Keywords
Si 3N 4 films
SOI
epitaxial layer transfer
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SOIM新结构的制备及其性能的研究
被引量:
2
2
作者
谢欣云
林青
门传玲
刘卫丽
徐安怀
林成鲁
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期207-210,共4页
基金
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 )
国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助的课题~~
文摘
制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件 电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词
制备
氮化
硅
薄膜
二氧化
硅
薄膜
SOIM新结构
多孔硅外延转移
电绝缘隔离性能
Keywords
SiO2 and Si3N4 films
SOIM
epitaxial layer transfer
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
谢欣云
刘卫丽
门传玲
林青
沈勤我
林成鲁
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
下载PDF
职称材料
2
SOIM新结构的制备及其性能的研究
谢欣云
林青
门传玲
刘卫丽
徐安怀
林成鲁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
原文传递
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