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用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度
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作者 缑洁 何志巍 +1 位作者 潘国辉 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2936-2940,共5页
用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造... 用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论. 展开更多
关键词 隙态密度 SCLC 多孔sio2:f 低k
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