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多孔介质传热传湿过程多层不连续问题的数值分析 被引量:1
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作者 苏向辉 昂海松 许锋 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期39-43,共5页
提出了一种基于有限体积法预测非线性边界条件下多层多孔介质内的传热传湿过程的数值分析方法。求解过程中考虑了瞬态边界条件 ,从而避免了通常处理中边界条件设定为常数而给计算带来的误差 ,对于多层多孔介质每一层物性参数的非连续性 ... 提出了一种基于有限体积法预测非线性边界条件下多层多孔介质内的传热传湿过程的数值分析方法。求解过程中考虑了瞬态边界条件 ,从而避免了通常处理中边界条件设定为常数而给计算带来的误差 ,对于多层多孔介质每一层物性参数的非连续性 ,采用了有效的有限差分逼近处理。利用该方法对典型的三层墙体层与层界面处相对湿度的瞬态值进行了预测 ,计算结果与 Liesen R J等的传递函数求解方法符合很好。 展开更多
关键词 多孔介质 耦合传热传湿 相对湿度 多层不连续
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CoFeB-SiO_2磁性不连续多层颗粒膜微波电磁特性 被引量:3
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作者 江建军 马强 +3 位作者 别少伟 杜刚 梁培 何华辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期277-280,共4页
采用直流/射频磁控溅射方法和不连续多层交替溅射工艺,制备了CoFeB-SiO_2系列纳米不连续多层磁性颗粒膜,并对制备的薄膜样品进行了不同温度下的退火处理.实验结果表明,通过调整SiO_2绝缘介质相含量及磁场退火温度可有效地调控薄膜微结... 采用直流/射频磁控溅射方法和不连续多层交替溅射工艺,制备了CoFeB-SiO_2系列纳米不连续多层磁性颗粒膜,并对制备的薄膜样品进行了不同温度下的退火处理.实验结果表明,通过调整SiO_2绝缘介质相含量及磁场退火温度可有效地调控薄膜微结构和微波电磁特性.制备的薄膜样品在GHz微波频段同时具有高磁导率和高磁损耗,1.5GHz处薄膜复相对磁导率实部和虚部均大于260,同时电阻率高达1.38mΩ.cm.该薄膜样品可应用于微波吸收材料和抗电磁干扰的设计中. 展开更多
关键词 CoFeB-SiO2 不连续多层 微波电磁特性 复磁导率
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不连续[NiFe/Ag]_n多层薄膜低场巨磁阻研究
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作者 张怀武 冉崇斌 钟智勇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期154-157,共4页
用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了 [NiFe/Ag]n不连续多层膜。从理论上分析了不连续膜低响应、高磁电阻值的机制 ,不连续膜模型介于多层膜模型及颗粒膜模型之间。研究了工艺条件 ,即退火温度、退火时间及空间层A... 用直流磁控溅射和快速真空磁场退火工艺在玻璃基片上制备了 [NiFe/Ag]n不连续多层膜。从理论上分析了不连续膜低响应、高磁电阻值的机制 ,不连续膜模型介于多层膜模型及颗粒膜模型之间。研究了工艺条件 ,即退火温度、退火时间及空间层Ag厚度对不连续膜巨磁电阻特性的影响 ,并对工艺条件进行了优化 ,在常温下获得巨磁电阻值 13% ,饱和场Hs<80 0A/m ,磁场灵敏度 1 3% / 80Am-1的优质薄膜材料。 展开更多
关键词 不连续多层 磁控溅射 退火 铁化镍 巨磁电阻 真空磁场
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退火温度对不连续多层膜磁性及微结构的影响
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作者 贾利云 许佳玲 +1 位作者 曲蛟 侯登录 《河北建筑工程学院学报》 CAS 2007年第4期9-11,共3页
通过射频和直流磁控溅射方法和原位退火工艺将Fe颗粒嵌入绝缘SiO_2母体中制备了系列不连续金属绝缘体多层膜样品.研究发现,热处理温度对薄膜中的磁性颗粒分布和磁性能有很大的影响.通过扫描探针显微镜对样品的微结构进行了分析,发现在40... 通过射频和直流磁控溅射方法和原位退火工艺将Fe颗粒嵌入绝缘SiO_2母体中制备了系列不连续金属绝缘体多层膜样品.研究发现,热处理温度对薄膜中的磁性颗粒分布和磁性能有很大的影响.通过扫描探针显微镜对样品的微结构进行了分析,发现在400℃时形成典型的不连续多层膜结构,磁性颗粒比较均匀的分散在母体当中.样品的磁性能测量结果显示该样品具有较好的磁性能. 展开更多
关键词 不连续多层 磁性 微结构
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不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
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作者 刘春明 葛世慧 +5 位作者 姜丽仙 寇晓明 李斌生 池俊红 王新伟 李成贤 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期75-78,共4页
用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25N... 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和. 展开更多
关键词 不连续磁性金属/绝缘体多层 微结构 隧道磁电阻
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