利用由折射率表示的权重因子研究多层介质镜

利用反射系数的递推表达式研究了弱吸收 1 /4波长 (QW )多层介质镜的反射特性 ,引入了一个具有普适性的权重因子来定量描述镜子中各层对反射时延、反射率下降的贡献。为了方便使用 ,用介质折射率表示出了权重因子 。

等效腔法研究低损介质镜的反射特性

利用多光束干涉原理的等效腔模型对四分之一波长多层介质镜进行了研究。证明在反射镜中心频率ω0附近 ,形为 ρ(ω)exp[iψ(ω) ]的反射系数中的 ρ(ω)等于 ρ(ω0 ) ,ψ(ω)与频率成正比。求得了在介质具有微弱吸收情况下 ,吸收引起的四分之一波长镜反射下降和反射时延的表达式 ,研究了反射率下降以及反射时延与膜层数目的奇偶性的关系。在此基础上还引入了一个具有一定普适性的权重因子 ,通过这个权重因子可以定量描述镜子中各层对多层介质镜反射率下降、反射时延等重要特性的影响。

高光提取效率的倒装GaN基LED的研究

为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射.