期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
实际情况中增透膜和高反膜的相关研究
1
作者 朱怡璇 姜晨曦 《课程教育研究(学法教法研究)》 2018年第11期43-44,共2页
为了减少入射光能在透镜玻璃表面反射所引起的损失,常在玻璃表面镀上厚度均匀的薄膜,利用薄膜的干涉使反射光减到最小,从而达到透射光增强的目的.高反膜同理.理论上,我们简单的讨论从介质 进入介质 ,入射角很小时,反射光光程差 ,根据干... 为了减少入射光能在透镜玻璃表面反射所引起的损失,常在玻璃表面镀上厚度均匀的薄膜,利用薄膜的干涉使反射光减到最小,从而达到透射光增强的目的.高反膜同理.理论上,我们简单的讨论从介质 进入介质 ,入射角很小时,反射光光程差 ,根据干涉相消条件可得最小膜厚度 .在实际中,不能保证每条光线的入射角都非常小,且光的波长不同,所对应的膜厚度也不同.本篇论文主要针对这一问题,进行了一系列讨论.最终得出了当膜进行一定规律的周期排列时,不影响最后的增透和高反效果. 展开更多
关键词 渐变折射率增透 多层介质高反膜
下载PDF
高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
2
作者 达小丽 沈光地 +3 位作者 徐晨 邹德恕 朱彦旭 张剑铭 《中国科学(F辑:信息科学)》 CSCD 2009年第9期1021-1026,共6页
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,... 为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射. 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 SiO2/SiNx 多层介质 等离子体增强 化学气相沉积
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部