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Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar
1
作者
周明宝
崔铮
D.Prewett
《光电工程》
CAS
CSCD
1997年第S1期64-69,81,共7页
报道了用氟利昂CHF3和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术,研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响,并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染,同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺,...
报道了用氟利昂CHF3和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术,研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响,并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染,同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺,采用Rs1/Discover软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在120~160W范围,氩气和氟利昂流速分别在15~35scm和20~50sccm范围,腔压在100~140mTor范围,相应的刻蚀速度为15~25nm/min。
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关键词
石英
离子腐蚀
多层位相结构
混合气体.
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职称材料
题名
Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar
1
作者
周明宝
崔铮
D.Prewett
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
英国卢瑟福国家实验室微结构中心
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
1997年第S1期64-69,81,共7页
文摘
报道了用氟利昂CHF3和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术,研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响,并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染,同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺,采用Rs1/Discover软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率在120~160W范围,氩气和氟利昂流速分别在15~35scm和20~50sccm范围,腔压在100~140mTor范围,相应的刻蚀速度为15~25nm/min。
关键词
石英
离子腐蚀
多层位相结构
混合气体.
Keywords
Quartz,Ion etching,Multilevel phase structures,Mixed gases.
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
Etching Fused Quartz With CHF_3/Ar
周明宝
崔铮
D.Prewett
《光电工程》
CAS
CSCD
1997
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