静电防护和多层压敏电阻器

随着电子设备向数字化、小型化的方向发展,静电破坏与防护越来越成为人们关注的重要课题。文中从静电的产生、对电子设备的破坏和对之防护的机理作了探讨,并对多层压敏电阻等静电防护器件的结构特点作了介绍,给出了一种静电保护用压敏电阻的IV曲线。

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag含量对电性能的影响(英文)

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小.反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多层片式ZnO压敏电阻的电性能变差.

水基流延法制备多层ZnO压敏电阻器的研究进展

介绍了水基流延法制备多层ZnO压敏电阻器的现状和重要性。分析了粘合剂、分散剂及浆料流变特性等对水基流延的影响,并指出了改进办法。通过比较几种水基流延用粘合剂对多层ZnO压敏电阻器电性能的影响,发现水溶性丙烯酸聚合物是最好的。随着水系粘合剂性能的提高,水基流延制备的多层压敏电阻(MLV)的电性能也得到提高,再加上它具有绿色环保和成本低的优势,其代替非水基流延制备多层ZnO压敏电阻器成为可能。

为网络选择过压保护器

为了保护更高速度的信号传输的完整性。