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自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究 被引量：5
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作者 王志明 邓元明 +8 位作者 封松林 吕振东 陈宗圭 王凤莲 徐仲英 郑厚植 高旻 韩培德 段晓峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期550-553,共4页
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层... 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾． 展开更多
关键词 量子点 自组织生长 多层垂直耦合 砷化铟
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