GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。

3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制

报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N^+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。