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NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术
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《微纳电子技术》 CAS 2007年第3期119-119,共1页
NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术,布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法,达到了32nm工艺LSI所需的性能,同时解决了绝缘耐久性过低的问题。
关键词 多层布线技术 LSI NEC 逻辑 开发 成膜方法 耐久性 工艺
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适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
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作者 徐秋霞 海潮和 +2 位作者 陈焕章 赵玉印 李建勋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期218-222,共5页
多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一.本文系统地研究了用效0.8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术,特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析... 多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一.本文系统地研究了用效0.8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术,特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论.这套技术已成功地应用放“0.8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制,并获得较好芯片成品率. 展开更多
关键词 多层布线技术 VLSI CMOS
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集成电路布线用多层碳纳米管(简称CNT)
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《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期6-6,共1页
关键词 多层碳纳米管 CNT 集成电路 多层布线技术
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高速多功能信号处理MCM的设计与制作 被引量:2
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作者 张亚金 郭芳 王海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期385-386,389,共3页
以一款T/R组件中的实用控制电路为对象,研究了基于多层陶瓷电路基板的MC M结构设计。针对高速信号的MCM多层基板布线技术及多层陶瓷基板的制作技术,研制出具有高速电路性能的实用化MCM组件,其体积和重量大幅度减少,基板层数达到12层,最... 以一款T/R组件中的实用控制电路为对象,研究了基于多层陶瓷电路基板的MC M结构设计。针对高速信号的MCM多层基板布线技术及多层陶瓷基板的制作技术,研制出具有高速电路性能的实用化MCM组件,其体积和重量大幅度减少,基板层数达到12层,最小线宽/线间距0.2mm,组装密度57%。 展开更多
关键词 高速多功能 多芯片组件 多层布线技术 多层基板技术
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