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HgCdTe多层异质结红外探测材料与器件研究进展 被引量:3
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作者 陈正超 唐利斌 +5 位作者 郝群 王善力 庄继胜 孔金丞 左文彬 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第9期889-903,共15页
HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色。近年来基于多层异质结构的Hg Cd Te高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型... HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色。近年来基于多层异质结构的Hg Cd Te高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构为主的器件受到了广泛的研究。本文系统介绍了势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构HgCdTe红外探测器的暗电流抑制机理,分析了制约两种器件结构发展的关键问题,并对国内外的研究进展进行了综述。对多层异质结构Hg CdTe红外探测器的发展进行了总结与展望。 展开更多
关键词 碲镉汞 多层异质结 势垒 非平衡工作 焦平面器件
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Hg_(1-x)Cd_xTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定
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作者 于福聚 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第1期9-12,47,共5页
用透射电镜对Hg1-xCdTe/CdTe和CdTe/GaAs两种异质结的横截面进行了观测分析,对异质结附近的某些结构缺陷,如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究,并对多层膜之间的取向差进行了... 用透射电镜对Hg1-xCdTe/CdTe和CdTe/GaAs两种异质结的横截面进行了观测分析,对异质结附近的某些结构缺陷,如微孪晶的尺寸、几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究,并对多层膜之间的取向差进行了分析。说明在GaAs衬底上用分子束外延法制备的Hg1-xCdxTe/CdTe/GaAs多层膜,就大量结构缺陷而言,CdTe缓冲层对Hg1-xCdxTe外延层起到了屏障作用。在Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结之间所存在的生长取向差分别取决于其两者间的晶格失配度,一般说来,晶格失配度越大两者间的生长取向差就越大。另外,对CdTe缓冲层中堆垛层错和孪晶的相互作用也进行了讨论。 展开更多
关键词 碲镉汞 碲化镉 砷化镓 多层异质 构缺陷
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SnS掺杂对P3HT/PCBM体系太阳能电池光电特性的影响研究
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作者 陆冠宏 赵新洛 +3 位作者 王焱 朱书影 孙静 谢晓峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期263-268,共6页
采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在TiO_2/FTO电极上沉积Sn S,组装结构为FTO/TiO_2/Sn S/P3HT:PCBM/Ag的多层异质结太阳能电池,结果显示:Sn S掺杂能显著提高P3HT/PCBM体系太阳能电池的光电转化性能。通过SEM观察、UV-Vis光谱、J-V曲线、... 采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在TiO_2/FTO电极上沉积Sn S,组装结构为FTO/TiO_2/Sn S/P3HT:PCBM/Ag的多层异质结太阳能电池,结果显示:Sn S掺杂能显著提高P3HT/PCBM体系太阳能电池的光电转化性能。通过SEM观察、UV-Vis光谱、J-V曲线、Raman光谱以及射频辉光放电光谱仪(GD-OES)等手段,系统研究了不同前驱体液浓度制备的Sn S对电池的影响,发现当n(Sn^(2+)):n(S^(2-))为1:1.5时,电池的光电转化效率最高,达到0.369%,其开路电压、短路电流和填充因子分别达到0.373 V、1.92 m A/cm^2和51.2%。另外,GD-OES谱图显示前驱体溶液中Sn^(2+)/S^(2-)比例对于Sn S_x层的化学组成及沉淀量具有重要影响,从而导致复合太阳能电池光电性能的显著变化。 展开更多
关键词 太阳能电池 连续离子吸附反应 硫化亚锡 多层异质结
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3D Fe-MOF embedded into 2D thin layer carbon nitride to construct 3D/2D S-scheme heterojunction for enhanced photoreduction of CO_(2) 被引量:1
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作者 Xiaoxue Zhao Mengyang Xu +3 位作者 Xianghai Song Weiqiang Zhou Xin Liu Pengwei Huo 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期2625-2636,共12页
Regulating charge transfer to achieve specific transfer path can improve electron utilization and complete efficient photoreduction of CO_(2).Here,we fabricated a S-scheme heterojunction of CN/Fe-MOF by an in-situ ass... Regulating charge transfer to achieve specific transfer path can improve electron utilization and complete efficient photoreduction of CO_(2).Here,we fabricated a S-scheme heterojunction of CN/Fe-MOF by an in-situ assembly strategy.The S-scheme charge transfer mechanism was confirmed by band structure,electron spin resonance(ESR)and work function(Φ)analysis.On the one hand,the response of Fe-MOF in the visible region improved the utilization of light energy,thus increasing the ability of CN/Fe-MOF to generate charge carriers.On the other hand,CN,as the active site,not only had strong adsorption capacity for CO_(2),but also retained photogenerated electrons with high reduction capacity because of S-scheme charge transfer mechanism.Hence,in the absence of any sacrificial agent and cocatalyst,the optimized 50CN/Fe-MOF obtained the highest CO yield(19.17μmol g^(–1))under UV-Vis irradiation,which was almost 10 times higher than that of CN.In situ Fourier transform infrared spectra not only revealed that the photoreduction of CO_(2) occurred at the CN,but also demonstrated that the S-scheme charge transfer mechanism enabled 50CN/Fe-MOF to have a stronger ability to generate HCOO–than CN. 展开更多
关键词 Thin layer porous g-C_(3)N_(4) S-Scheme heterojunction Photocatalytic CO_(2)reduction Fe-MOF Surface intermediate
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Si基铁电Bi_(3·15)Nd_(0·85)Ti_3O_(12)多层薄膜的一致取向生长和性能的研究 被引量:1
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作者 李少珍 李美亚 +2 位作者 徐文广 魏建华 赵兴中 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1472-1478,共7页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,利用LSCO/CeO2/YSZ多异质缓冲层,在Si(100)基片上成功地制备了c轴一致取向的Bi_(3·15)Nd_(0·85)Ti_3O_(12)(BNT)铁电薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,利用LSCO/CeO2/YSZ多异质缓冲层,在Si(100)基片上成功地制备了c轴一致取向的Bi_(3·15)Nd_(0·85)Ti_3O_(12)(BNT)铁电薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特征,考察了沉积温度和氧分压对BNT薄膜微结构、取向和形貌的影响,确定了BNT薄膜的最佳沉积条件.对在优化的条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线测试得到了典型的蝴蝶形曲线,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.最后讨论了BNT薄膜铁电性能与薄膜取向的相关性. 展开更多
关键词 BI3.15ND0.85TI3O12 铁电薄膜 多层异质结 脉冲激光沉积
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