LTCC上多层金属薄膜互连设计规范研究

结合现有的薄膜工艺技术平台，通过LTCC基板表面多层薄膜布线设计和关键工艺技术攻关，从LTCC基体上的多层薄膜的互连结构、互连尺寸、材料选配、加工流程等方面，研究和总结出“LTCC上多层金属薄膜互连设计规范”，有效解决了薄膜工艺与LTCC厚膜工艺的兼容性问题。

等离子体增强原子层沉积原理与应用

等离子体增强原子层沉积(PEALD)是一种低温制备高质量超薄薄膜的有效手段,近年来正受到工业界和学术界广泛的关注。简要介绍了PEALD的发展历史和生长原理。描述了PEALD常见的三种设备构造:自由基增强原子层沉积、直接等离子体沉积和远程等离子体沉积,比较了它们的优缺点。着重评述了PEALD的特点,主要具有沉积温度低、前驱体和生长材料种类广、工艺控制灵活、薄膜性能优异等优势,但也面临着薄膜三维贴合性下降和等离子体损伤等挑战。列举了PEALD的一些重要应用,如在金属薄膜制备、铜互连阻挡层、高介电常数材料、薄膜封裹等领域的应用。最后展望了PEALD的发展前景。

新型潜伏反应型粘接薄膜

拜耳材料科技公司潜伏反应型粘接薄膜或附有潜伏反应型粘接层的薄膜可简化诸多工业流程。该产品是将水基潜伏反应型分散胶粘剂涂于某载体或薄膜上干燥而得，其干燥温度为70-90℃。该薄膜在储存期长达180d后仍可用于典型的加热激活工艺中，不需要使用液态胶粘剂即能轻松进行部件的粘接。工业用户可直接购买特制的预涂瞑，或将该薄膜置于基材之间，加热至70℃以上，然后挤压被粘接材料即可达到永久粘接的目的。

铜的互连技术

当器件的特征尺寸达到0.1μm时,在双嵌入式互连结构中,将面临阻挡层和籽晶层淀积的挑战。利用自助离子化的等离子体(Self Ionized Plasma)技术,可以延伸PVD设备的使用领域。然而,当进入【0.

铁电存储器及其关键集成工艺

将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在,采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程,以及铝连线在还原性氢气氛中退火对于铁电电容特性的影响在本文中被探讨,还原性气体隔离层的几种适用材料的特性,以及隔离层制备的工艺集成这一关键问题被着重研究。