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多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析 被引量：6
1
作者 郭荣辉 赵正平 +3 位作者 郝跃 刘玉贵 武一宾 吕苗 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1804-1808,共5页
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电... 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 . 展开更多
关键词 多岛单电子晶体管 量子点 库仑阻塞 共隧穿效应
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