SiC MOSFET特性参数的一致性分析

SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫。以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1200 V/20 A SiC MOSFET作为研究对象,通过对比实验分析了测试仪器及方法对国产SiC MOSFET的静态特性参数测试结果的影响。采用标准差、偏度、峰度、偏离度和变异系数量化评估了SiC MOSFET动、静态特性参数的一致性,发现跨导、漏源极电容、栅源极电容、下降时间和关断延时一致性较好,而导通电阻、阈值电压、栅漏极电容、上升时间和开通延时的一致性较差,从而为后续器件的改进设计提供数据支撑。