隧道穿透对Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率的影响模拟

在多晶薄膜晶粒 晶界两相结构模型的基础上 ,考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿机制 ,在 10℃～ 10 0℃的温度范围内 ,模拟了Sol gel多晶二氧化钒薄膜电阻率随温度的变化 ,模拟结果与实验结果有较好的吻合 .模拟结果显示 ,二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化 。

多晶VO_2材料的绝缘-金属转变研究

对用粉末冶金（烧结）法制得的多晶VO2材料进行了X-射线结构分析和R-T曲线的实验研究.结果表明,纯的VO2多晶材料升温时在338K发生数量级约为103倍的绝缘-金属转变,掺杂Cr的VO2样品转变温度向低温方向偏移。当样品中含有5％以上的V2O5或样品淬油时,其R-T曲线将变得平坦.

离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好 ,薄膜的电阻温度系数 (TCR)最高可达 4 2 3% K .从成膜机理出发 ,较详细地讨论了离子束增强沉积VO2 多晶薄膜的TCR高于VOx 薄膜的TCR的原因 .分析认为 ,单一取向的VO2 结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能 ,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度 ,使离子束增强沉积VO2 多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx 薄膜更接近于单晶VO2