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织构多晶板的深冲制耳倾向预测 被引量:3
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作者 李赛毅 张新明 《中南工业大学学报》 CSCD 1996年第5期560-564,共5页
以织构多晶体连续介质力学为基础提出了预测织构板材深冲制耳的新方法,利用该方法计算了立方金属中重要织构组分的基本制耳行为.结果表明,本方法优于传统的预测方法。
关键词 深冲 各向异性 制耳 多晶板
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四方氧化锆多晶/氧化铝(板晶)复相陶瓷的摩擦磨损性能研究 被引量:6
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作者 周振君 郭艳杰 杨正方 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期166-171,共6页
以表面包裹玻璃涂层的氧化铝微粉、小尺寸样板晶以及钇稳定四方氧化锆(Y—TZP)微粉为原料,在常压下通过样板晶生长制备氧化铝样板晶体积分数为50%的Y—TZP/板状氧化铝复相陶瓷,采用机油为润滑剂对比研究了复相陶瓷和3Y—TZP陶瓷... 以表面包裹玻璃涂层的氧化铝微粉、小尺寸样板晶以及钇稳定四方氧化锆(Y—TZP)微粉为原料,在常压下通过样板晶生长制备氧化铝样板晶体积分数为50%的Y—TZP/板状氧化铝复相陶瓷,采用机油为润滑剂对比研究了复相陶瓷和3Y—TZP陶瓷在不同载荷下的摩擦磨损性能,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察分析试样磨损表面形貌及其相组成.结果表明,在载荷400N时,3Y—TZP陶瓷出现摩擦系数和磨损率突变.在磨损突变前,3Y—TZP陶瓷的磨损机理为塑性变形、耕犁和微裂纹,在磨损突变后则以微断裂和晶粒拔出为主.复相陶瓷在试验载荷(100—700N)条件下没有出现磨损突变.与3Y-TZP陶瓷相比,在相同载荷下,复相陶瓷的磨损率较低.这是因为复相陶瓷中的氧化铝板晶在三维空间形成了网络骨架,氧化铝样板晶固有的高弹性模量和高热导率抑制了氧化锆马氏体相变,为摩擦热的散失提供了导热通道. 展开更多
关键词 四方氧化锆多晶/氧化铝()复相陶瓷 Y—TZP 摩擦磨损性能
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外加电场作用下层状铁电多晶材料板的模拟 被引量:1
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作者 张颖 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期396-402,共7页
建立了一个模拟在外加电场作用下的层状铁电多晶板的模型.该模型认为铁电材料的能量密度函数是变形和电位移的非凸函数以及引入了畴变对材料行为的影响.为了满足各晶粒间的运动学约束及电位移场的连续性条件,模型认为每个晶粒具有某... 建立了一个模拟在外加电场作用下的层状铁电多晶板的模型.该模型认为铁电材料的能量密度函数是变形和电位移的非凸函数以及引入了畴变对材料行为的影响.为了满足各晶粒间的运动学约束及电位移场的连续性条件,模型认为每个晶粒具有某种混合构形.通过常应力和常电场强度假设及利用加载过程中须满足的连续性条件,该模型将求解板对外加电场的响应问题转化为求解各晶粒中的应力及各晶界上的电位势的代数方程组的问题.同时,该模型利用两电畴的Gibbs自由能之差作为畴变的方向的判据,由要求板的Gibbs函数最小来确定畴变量的大小. 展开更多
关键词 畸变 电场 铁电多晶材料 铁电材料 模拟
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高应变率下纯钛动态压缩力学性能各向异性 被引量:1
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作者 常亚喆 刘楚明 +2 位作者 詹从堃 李慧中 陈志永 《湖南有色金属》 CAS 2008年第4期33-36,74,共5页
利用Instron电子拉伸机和分离式霍普金生(SHPB)压杠实验装置,研究了准静态和动态压缩条件下织构多晶纯钛板TA2的力学性能,对织构多晶纯钛板法向ND、轧向RD、横向TD等三个方向进行了压缩实验,得到了不同应变率下的应力-应变曲线。结果表... 利用Instron电子拉伸机和分离式霍普金生(SHPB)压杠实验装置,研究了准静态和动态压缩条件下织构多晶纯钛板TA2的力学性能,对织构多晶纯钛板法向ND、轧向RD、横向TD等三个方向进行了压缩实验,得到了不同应变率下的应力-应变曲线。结果表明对于轧制和退火纯钛板,准静态和动态压缩力学性能均表现出明显的各向异性,且规律一致:均为ND方向屈服强度最大,TD次之,RD方向最小。 展开更多
关键词 高应变率 织构多晶纯钛 动态压缩力学性能 各向异性
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RF LDMOS器件仿真与单元设计
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作者 顾吉 王涛 徐政 《电子与封装》 2011年第9期18-22,共5页
RF LDMOS器件在GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RF LDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RF LDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RF LDMO... RF LDMOS器件在GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RF LDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RF LDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RF LDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节约大量的人力物力财力,更为重要的是可以节约产品的开发时间,加快产品的推出和更新换代。文中采用Silvaco软件对RF LDMOS进行仿真,该器件采用0.35μm标准CMOS工艺,二层多晶场板结构,漂移区长度4.5μm,通过优化工艺条件及器件结构,实现了100V的击穿电压,射频功率密度可达1.4W/mm。 展开更多
关键词 仿真 RF LDMOS 二层多晶
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Design for SOP AMOLED display panel 被引量:2
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作者 MA Hai-ying XU Bu-heng +3 位作者 WU Chun-ya MENG Zhi-guo XIONG Shao-zhen ZHANG Li-zhu 《Optoelectronics Letters》 EI 2005年第1期27-29,共3页
A novel full color SOP(system on panel) AMOLED display based on the MIUC polycrystalline silicon TFT technique, and a new control circuit for the panel, which can deal with both VGA and DVI input signals have been d... A novel full color SOP(system on panel) AMOLED display based on the MIUC polycrystalline silicon TFT technique, and a new control circuit for the panel, which can deal with both VGA and DVI input signals have been developed. To realize gray-scale a sub-frame technique has been designed and im- plemented by FPGA device, in which an 120 module has been inserted. Through actual circuit, the whole design has been proven and the advantages of the SOP AMOLED display panel have been confirmed. 展开更多
关键词 发光二极管 发光材料 显示面 多晶体硅
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