55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究

随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起来,通过引入ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)的硬掩模工艺,实现对像素区对高能量注入的阻挡和优化的多晶硅形貌。在后续的工艺中,多晶硅的再氧化,逻辑区输入/输出(IO)器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序会引起对核心器件区域,输入/输出器件(IO33)区域和像素区的硅表面的损伤,需要找出优化的工艺方案来确保器件性能和可靠性。本文通过对多晶硅的再氧化,逻辑区IO器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序的研究,找出了优化的工艺顺序,并对器件性能,可靠性进行评估。