尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响

介绍了沟槽MOSFET(TMOS)的器件特性。为获得更小的Rdson(导通电阻)·A(面积)值,讨论了在元胞间距尺寸缩小到1.4μm时,由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后,器件穿通风险加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化工艺,利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险,最终通过试验验证,得到了高稳定性低导通电阻的低压TMOS。