利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压

简介 传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高.

一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型

描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线。