多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小

分析了一个发生在0.13μm嵌入式闪存芯片中振荡器电路模块失效的案例。通过研究发现此失效与作为门极的多晶硅与后段金属互联线之间金属钨导线的接触电阻(晶体管寄生电阻)有关,而金属钨导线的接触电阻大小在很大程度上取决于多晶硅表面刻蚀前处理工艺。通过对多晶硅表面前处理工艺的优化实验,探讨了金属钨导线接触电阻减小的方法。

等离子体表面处理在织物前处理工艺上的应用

本文通过一系列实验获得的数据,论述了棉布、坯绸的前处理工艺运用等离子体处理技术所取得的效果及等离子体对织物表面的刻蚀机理,同时阐述了等离子体刻蚀条件对处理效果的影响。

一种基于低温多晶硅TFT技术的柔性8位异步微处理器

介绍基于低温多晶硅TFT技术和采用激光退火表面刻蚀技术的柔性8位异步微处理器,并且给出了异步电路描述语言Verilog+。32,000个晶体管的微处理器在500kHz,5V的条件下消耗电流180mA,功耗是同步微处理器的30%。

用于太阳能电池的多晶硅激光表面织构化研究

介绍了利用激光制备多晶硅表面织构的研究结果。采用激光在硅片表面刻蚀,然后利用化学方法去除残渣和损伤,制得均匀的表面陷光结构。通过扫描电子显微镜,HitachiU-4100分光光度计和Semilab WT2000少子寿命仪分析了表面织构化后硅片的表面形貌、反射率和少子寿命。通过调节激光和化学腐蚀参数得到很好的陷光效果,表面反射率最低可以降到约10%。但是激光刻蚀对硅片性能仍有一定损伤,有待改进。激光表面织构为多晶硅的减反射处理提供有效的途径。