不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性

为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。

多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究

由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法—氢化。

Halo LDD多晶硅TFT载流子效应研究

基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明,器件的热载流子效应随着Halo区掺杂剂量的增加而变得更加严重;随着掺杂能量的增加,热载流子退化均表现为先增加后减小的变化趋势,在80KeV退化最为严重。

“基于低温多晶硅TFT基板的有源OLED关键技术研发”通过验收

华南理工大学材料科学学院彭俊彪教授课题组负责，并与南开大学、创维集团联合开发的国家“863计划”新型平板显示重大项目“基于低温多晶硅TFT基板的有源OLED关键技术研发”，于2012年7月1日通过由科技部主持的结题验收会。验收专家组在听取汇报后，对项目验收资料进行了审查，并就相关问题进行了质询和探讨，实地考察了基地建设情况和中试实验室。

受激光辐照而局部晶化的新型多晶硅TFT

提出一种新型多晶硅ＴＦＴ结构，它在沟道中设置了高阻的非晶硅区，从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化，而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化，保持非晶硅态。在制造新器件时不需要附加光刻工序，也不存在失调（ｍｉｓａｌｉｎｇ）问题。由于采用了透明的ＩＴＯ栅，增大了开口率，这也是新器件的另一优点。

基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70 ～80 cm2/V.s ,亚阈值斜摆幅为1 .5 V/decade ,开关电流比为1 .01×107,开启电压为-8 .3 V。另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性。

多晶硅OLED象素常用驱动电路分析

在多晶硅TFT-OLED中,驱动电路所用TFT的阈值变化量(△VT)会导致显示亮度不均匀,以及灰度低下。因此,需要设计特殊的象素驱动电路来克服这些缺陷。本文把一些常用驱动电路分成OLED的模拟驱动和数字驱动电路,对其性能和工作机理进行细致分析,并指出其中的电路局限性,其间给出产生高灰度的方法。

多晶硅薄膜晶体管性能研究

文章首先提出多晶硅薄膜晶体管几种减小漏电流的方法,接着对采用超薄沟道结构和普通沟道结构的多晶硅薄膜晶体管的电特性进行对比,发现采用超薄沟道结构具有优越性,最后分析了器件特性与材料性质之间的关系。

利用喷墨方式形成硅TFT!精工和JSR利用液体材料形成硅薄膜

精工爱普生和JSR日前使用液体材料成功地形成了硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅TFT的电子迁移率高达108cm^2／V·s，实现了和过去利用CVD法形成的TFT相同的性能。主要面向有机EL面板的驱动TFT等用途，力争5—6年内达到实用化水平。

氧化锌基薄膜晶体管的进展与挑战

透明电子学由于其优异的电学性能在下一代高性能平板显示应用中受到了广泛的关注和研究。在显示应用中,薄膜晶体管(TFT)作为控制像素的基本单元发挥着重要作用。其中,基于氧化物的TFT具有高迁移率,良好的透明性,优异的均匀性和较低的加工温度,已成为有前途的候选材料,并逐渐取代了常规的非晶态和多晶硅TFT。本论文简要介绍了TFT器件的结构和工作原理,讨论了氧化锌基TFT的当前问题和挑战。

LCD反被屏幕保护程序所累——屏幕保护程序损害LCD！

你可知道，每当你启动屏幕保护程序之后，不但不能保护好你的液晶显示器，反而会成为缩短LCD寿命的罪魁祸首！

数码相机——松下DMC－FX556K

DMC-FX55GK的外形设计干净利落．各处的线条都错落有致．22．8mm的机身厚度和143g的机身重量也算轻巧．23万像素3．0英寸的多晶硅TFTLCD显示屏显示效果不错．并且支持自动增亮式LCD模式、增亮式LCD模式、高角度模式等显示模式．

友达光电公布有机EL材料性能分析数据

“7英寸以上的产品，非结晶硅具有优势，7英寸以下则是低温多晶硅有优势”，台湾友达光电对有机EL面板的成本进行了分析（图）。有机EL面板的驱动方式大体分为2种，一种使用非结晶硅TFT底板，另一种使用低温多晶硅TFT底板。其中，使用非结晶硅TFT底板的有机EL面板对于电视机等大尺寸产品来讲，在成本上更具优势。

厦门火炬高新区：打造光电产业集群

近日，厦门火炬高新区与中国航空工业集团旗下的中国航空技术深圳有限公司和中国航空技术厦门有限公司达成项目合作协议，在火炬（翔安）产业区建设第5．5代低温多晶硅TFT—LCD及彩色滤光片生产线。该项目建成投产后，年产值可达60多亿元，将带动液晶材料等上游材料发展，

以“像素存储器”实现低耗电友达光电和奇美展示新型液晶面板

通过在各像素中形成存储器电路来保持写入的图像数据，实现低耗电——友达光电（AUO）和奇美电子（CMI）两公司展出了“像素存储器”型液晶面板，在像素的驱动元件和存储器电路上采用了低温多晶硅TFT。友达光电的开发品有支持彩色显示的半透射型面板和支持单色显示的反射型面板，在展区内还展示了两面都配备此次开发品的智能手机模型，

JDI推耗电量仅3mW的反射型液晶面板

日本显示器公司开发出了显示静止图片时耗电量仅为3mW的反射型液晶面板，屏幕尺寸为7．03英寸，适用于要求低耗电量的移动产品。此次开发品的驱动元件采用了低温多晶硅TFT，通过在各个像素内形成存储电路以保存写入的图像数据，实现了低耗电量。像素内存储器的种类是SRAM。此外，还通过优化散射层的光学设计，实现了像纸张一样自然的显示。