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栅氧击穿机理研究
1
作者
徐政
缪海滨
郑若成
《电子与封装》
2003年第3期32-35,共4页
栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的 因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构。
关键词
栅氧
击穿
多晶缓冲隔离
能带
下载PDF
职称材料
题名
栅氧击穿机理研究
1
作者
徐政
缪海滨
郑若成
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2003年第3期32-35,共4页
文摘
栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的 因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构。
关键词
栅氧
击穿
多晶缓冲隔离
能带
Keywords
gate oxide, breakdown, PBL, energy band
分类号
TN386.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
栅氧击穿机理研究
徐政
缪海滨
郑若成
《电子与封装》
2003
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