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栅氧击穿机理研究
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作者 徐政 缪海滨 郑若成 《电子与封装》 2003年第3期32-35,共4页
栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的 因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构。
关键词 栅氧 击穿 多晶缓冲隔离 能带
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