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CdTe薄膜的制备和后处理研究 被引量：6
1
作者 蔡伟 冯良桓 +2 位作者 蔡亚平 张静全 武莉莉 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期273-276,共4页
用近空间升华法制备CdTe薄膜 .研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构 .衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整 .结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀 .对CdTe薄膜进行了加热后处理研究 ,结果表明 ... 用近空间升华法制备CdTe薄膜 .研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构 .衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整 .结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀 .对CdTe薄膜进行了加热后处理研究 ,结果表明 ,加用CdCl2 展开更多
关键词 CDTE薄膜 近空间升华法 退火 碲化镉薄膜 多晶薄膜电阳电池 热处理 薄膜生长 制备方法
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