浅谈多步扩散制备太阳电池PN结工艺

针对太阳能电池PN结制备技术,本文分析工艺设计过程中,硅片磷浓度分布情况会给电池性能造成极大的影响。现有的太阳电池PN结制备工艺中,多步扩散制备工艺具有较强的应用优势,能够减少死层,增加电活性磷掺杂量。文中重点对多步扩散制备工艺的应用相关问题,以及硅基薄膜多结太阳能制备的其他工艺,做了简单的论述分析。

一种用于制备大厚度MEMS结构层的浓硼掺杂方法(英文)

在MEMS器件中,浓硼掺杂层通常为器件的结构层.但由于受表面固溶度及浓度梯度影响,该掺杂层(硼原子浓度≥5×1019cm-3)厚度越大所需的扩散时间越长.为了能在同等扩散工艺条件下,制备出更厚的浓硼掺杂层以满足器件要求,提出了多步扩散法.即在保证总的累计扩散时间不变的前提下,将传统的扩散过程分为两个相对短的扩散周期.并且这两个周期连续进行,每个周期各包含一次预扩散和再分布.与传统的两步扩散相比,多步扩散法可为硅基底引入更大量的硼杂质,并且具有一定能力使硼杂质留在一定深度范围内.因此该方法可以获得更大的有效节深.实验中采用该方法成功制备出21μm厚的浓硼掺杂层.然而在文献中提到的采用传统两步法在同样条件下得到的厚度则小于15μm.从而验证了该方法可在同等扩散工艺条件下,可以制备出更厚的浓硼掺杂层.