光致变色二芳烯材料的光子型光信息存储(英文)

本文合成了八种光致变色二芳烯化合物,研究了它们的光致变色性质,并综述了它们在光子型光信息存储技术中的应用。在光辐照下,这些化合物在溶液和PMMA膜中均具有良好的光致变色特性。使用这些化合物作为光存储介质,成功进行了系列高密度光子型光信息存储实验,包括全息光存储、双光子光存储和多波长光存储。结果表明:二芳烯材料是光子型全息、双光子和多波长光存储技术中可采用的最理想的存储介质之一。

多波长光盘读出信号均衡检测实验平台的设计

多波长光盘存储是增加存储密度的有效手段之一。针对多波长光盘信道中引入的波长间串扰,将序列检测技术扩展到多维,提出一种多波长部分响应最大似然MPRML(Multi-wavelength PRML)检测方法。以FPGA为核心设计了硬件仿真验证平台,可以对上述检测方法实现芯片级的算法验证。

多波长存储材料的合成与存储实验研究

报道了用有机光致变色的二芳基乙烯化合物作为多波长光存储记录材料的合成、膜片制作和多波长存储实验。结果显示,分别用1,2-双(2,5-二甲基噻吩-3-基)全氟环戊烯、1,2-双(2-甲基-5-醛基噻吩-3-基)全氟环戊烯和1,2-双(2-甲基-5-(2,2-二氰基乙烯基)噻吩-3-基)全氟环戊烯作为多波长光存储的记录材料,采用旋涂法(spin-coating)制成存储膜片,对应的读写激光器的波长分别532、650和780nm,实现了三波长光存储的信息记录和读出。