多畴STN-LCD的研究

本文用光学模拟计算方法研究了多畴及无序ＳＴＮ－ＬＣＤ的电光特性。从光学角度而言，试图制造无序ＳＴＮ－ＬＣＤ的努力是没有意义的。无论对正性还是对负性显示模式，多畴ＳＴＮ单位象元的畴数量不应超过四个。具有２或４畴的ＳＴＮ－ＬＣＤ确实能够提高视角的均匀性，特别是４畴器件可以获得非常好的视角均匀性，具有一定的研究和开发意义。

静电场中多畴结构胆甾相液晶的物理变化过程

反射型胆甾相液晶显示具有许多传统液晶显示 (LCD)不可比拟的优点 ,称为第 3代LCD ,本文分析了构成这类显示的多畴胆甾相液晶在静电场下各状态的物理变化过程 .文中以单畴为研究对象 ,根据胆甾相液晶的Frank弹性连续体理论 ,建立了静电场中单畴从平面织构态 (P态 )到焦锥织构态 (FC态 )以及FC态到场致向列相态 (H态 )各状态间转化的物理方程 .为进一步研究多畴胆甾相液晶相变的动力学变化规律打下了基础 .

反射型胆甾相液晶显示器件多畴结构的形成及相变的研究

主要讨论了采用摩擦工艺形成的胆甾相液晶显示器件的多畴结构。研究在电场作用下多畴结构胆甾相液晶显示器件相变,包括平面织构态(P态)到焦锥织构态(FC态)的相变;场致向列态(H态)到P态和FC态的相变。通过显微镜下液晶屏的上电观察,调节脉冲数量和幅度,得到P态FC态和H态之间相变的微观过程,得出胆甾相液晶相变的过程和规律,为实际工艺制作提供了理论指导。

新型多畴扭曲向列相液晶显示器

提出在像素电极下方放置凸起物,获得具有宽视角特性的多畴扭曲向列相液晶显示器。该模式比传统的多畴TN模式摩擦过程少,工艺过程简单。在这种液晶显示器中,初始状态(未加电)时,分子排列结构和普通单畴TN模式相同,在加电压状态时,由于凸起物的存在,液晶分子沿着4个不同的方向排列形成多畴区域。文中运用专业液晶模拟软件模拟,对该液晶显示器的电光特性进行研究,结果表明,该液晶显示器具有宽视角、色散小及色彩还原性较好的特性。

P态刷新法在反射型多畴胆甾相液晶器件中的应用

主要针对制备的反射型多畴胆甾相液晶器件的特点以及胆甾相液晶的相态变化原理,根据P态刷新法的驱动原理,测出胆甾相液晶的各个相态的阈值电压,设计出相应的驱动波形,并应用于制备的样品中,实现了多畴结构的各个相态之间的转换,并在此基础上实现了全屏的相态变化过程,为静态字符显示奠定了基础。

实现反射型多畴胆甾相液晶器件字符显示的驱动研究

针对反射型多畴胆甾相液晶器件的特点以及P态刷新法对驱动波形的要求,设计出相应的驱动电路,巧妙地利用输出PWM(脉宽调制)波外加滤波的方法得到驱动所需的三种电压,并应用于现有的显示屏,成功地实现了字符显示。

液晶相的鉴别

报道了一些常见液晶的多畴X射线衍射和光学织构观察的实验结果,对衍射花样和织构特征进行了归纳和总结,提出了将多畴X射线衍射和织构观察这两种检测手殴结合起来,使之成为鉴别常见液晶相的简便而可靠的方法。

表面性能对胆甾相液晶显示性能的影响

文章主要通过胆甾相液晶显示器件在P态和FC态的反射特征谱线和微观结构来研究表面性能对显示器件的反射率、多畴结构及阈值电压的影响。结果表明,摩擦取向促使胆甾相液晶形成比较规整的多畴结构,从而增大显示器件的反射率,表面材料的性能会影响显示器件的阈值电压。

铁电相变过程的不可逆热力学研究

应用不可逆热力学研究了铁电相变中的不可逆性．一级铁电相变中的“热滞”和铁电体的多畴结构可在最小熵产生原理的基础上得到说明．推出了两个结论:(1)热滞不是一级铁电相变体系的内禀性质,体系表面的有限性与热滞是有关的;(2)多畴结构的出现可归因于温度梯度方向的变化．

磁性不均匀小尺度体系的建模

纳米颗粒在未进入单畴前,大都存在磁性不均匀的情况。比如各向异性分散、多畴等等。另一方面,多晶过去常常用单晶近似,或者说是将多晶平均成单晶。对于大尺度颗粒,各向异性无序带来的涨落可以忽略,但小尺度系统无序的影响不能忽略。所以,对小尺度系统,必须重新考虑多晶磁性小颗粒系统的建模问题.不管是多晶还是单晶,对于磁性不均匀小尺度体系的建模都是非常重要的。在这方面,理论模型尚不完善。本文综述了磁性不均匀小尺度体系的建模问题及进展情况。

一种宽视角和快速响应的连续视角可控液晶显示

在垂面排列液晶显示模式中,液晶分子垂直取向,具有暗态良好、高对比度的特点,但是其视角特性不佳。采用MVA和PVA技术等多畴结构可以使VA模式的视角情况得到改善,但MVA模式中凸起结构引起的液晶分子初始预倾状态会导致暗态漏光,从而降低显示的对比度。而PVA模式中的狭缝结构虽然不会影响对比度,但其响应速度比较慢。文中提出一种新型垂面排列液晶显示器结构,其像素电极四周刻蚀有弧形狭缝,公共电极中心刻蚀有孔洞。施加电压时液晶分子向中心倾倒,形成中心对称的多畴结构,实现了对比度均匀的宽视角,且这一结构在保证高透过率的同时还可以实现快速响应。另外,通过在公共电极上施加偏置电压,该结构还可实现视角的连续可控。

半导体量子棒的光控取向技术进展

介绍了液晶分子的光控取向技术和半导体量子棒均匀定向的方法。该方法可以将高亮度、核/壳结构的CdSe/CdS量子棒与液晶单体相互结合,通过定向排列液晶单体来实现对量子棒的定向排列,并利用紫外光聚合固化,形成包裹量子棒的液晶聚合物薄膜。通过对高偏振荧光量子棒的光学表征,展现出高排列序参数。在应用方面,液晶聚合物中的量子棒可在微米尺度(低至2μm)内进行多畴取向,展现出在光子学和保密领域中的应用前景;结合量子棒/液晶聚合物(QR/LCP)薄膜与液晶显示技术,可用于新式光学驱动荧光显示设备;用于现代液晶显示设备中的量子棒亮度增益膜,在增强色彩表现(>100%NTSC)的同时,又能提高显示器的光学效率(>8%)。

初态变化对四物种捕食模型演化行为的影响

采用Monte Carlo数值模拟方法对二维正方格子上的四物种循环捕食模型进行研究.相对于四物种等概率的初始条件,研究了四物种不等概率随机分布的初始条件对系统动力学相变行为的影响.研究表明:系统初态状态对体系的动力学演化过程和非平衡相变行为具有非常重要的影响.

高分辨率UV^2A面板光学特性改善研究

通过一系列实验研究了高分辨率TFT液晶显示器的对比度和透过率特性。改善了UV^2A光配向技术在提高分辨率的同时像素透过率和对比度下降的情况。提高了面板光学性能的同时也降低了生产成本。

TFT-LCD的宽视角技术

随着TFT-LCD显示技术的不断发展,宽视角模式已经成为业界追求的目标。本文通过对TFT-LCD显示模式的叙述,分析了各种流行显示模式的特点,希望能为了解TFT-LCD有所帮助。

基于UV2A技术研制249 cm8K4K氧化物TFT液晶面板

采用IGZO和UV2A技术开发了120 Hz驱动的249 cm8K4K TFT-LCD面板,具有高透光率、全方位视角、超高对比度、响应时间快等优异的光学性能。IGZO TFT在大尺寸、高分辨率以及高频的电视面板设计中具有很大的优势。另外,在1G1D基础上开发的栅极多扫描技术,进一步提高了面板的透过率。

聚合物稳定液晶垂直取向技术的研究现状概述

文章简单介绍了几种液晶显示的广视角技术,着重对聚合物稳定液晶垂直取向技术(polymerstabilized vertically aligned,PSVA)进行了概括,包括聚合物稳定液晶垂直取向技术的发展历史、技术优势和研究进展,以及对该项技术的进一步产业化和未来的发展趋势进行预测。与传统的VA器件相比,PSVA改进了器件的电光特性,特别是上升时间,同时不需要MVA器件和PVA器件中在图案电极上的突起物。为了更好地发挥PSVA的技术优势,要优化像素结构以形成稳定的多个液晶指向矢,其次,固化电压、固化强度、固化能量等UV固化条件以及可聚合单体在液晶中的含量需要优化。

铁电纳米颗粒相变中的尺寸效应

由铁电纳米颗粒和介电质基体组成的复合材料具有很多功能特性,这些特性可广泛用于新型电子和能量收集装置。然而,铁电颗粒的形状、尺寸和在介电质基体中的取向对这些功能的影响还没有被研究清楚。利用一种中尺度建模方法,模拟了具有极性、弹性和热自由度的铁电纳米复合材料的性质,以及这些性质对尺寸、形状和取向的依赖性。基于时间依赖的朗道金兹堡理论,应用多物理场耦合的有限元方法模拟了嵌入介电质中的孤立PbTiO_(3)或BaTiO_(3)纳米颗粒中的极化行为。从模拟结果可知,铁电纳米颗粒的尺寸和材料以及周围电介质的材料都会对平衡极化场产生影响。对于不同尺寸和材料参数的组合,极化场表现为单畴、涡旋畴和多畴状态。模拟结果还表明存在一个临界尺寸,低于该尺寸时铁电性消失。对于PbTiO_(3)和BaTiO_(3)颗粒,该尺寸分别为3.3 nm和4.8 nm。

横向偏置场作用的非晶带巨磁阻抗效应理论

采用多畴结构模型,考虑非晶带具有180°畴壁的磁畴及其两面的偏置磁场方向的不同,根据自由能最小原理,Maxwell方程组及带阻尼项的Landau-Lifshitz方程,建立了非晶态合金带在横向偏置磁场作用下的巨磁阻抗效应的理论计算公式.提出并采用四状态平均磁导率代替单畴模型获得的磁导率,得到了更符合实际的处于偏置场作用的阻抗随外磁场变化的理论结果.

表面稳定铁电液晶器件灰度特性的测量研究

观察到了多畴结构铁电液晶的灰度显示现象 ,测量了表面稳定铁电液晶像素透射率与驱动电压的依赖关系 ,研究了液晶盒导电玻璃RC常数以及驱动脉冲持续时间对器件电光响应波形的影响。对这几种情况所得到的光电倍增管的响应波形作了分析和解释 ,同时对产生这种灰度现象的机理作了讨论。