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多管下降炉生长Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面
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作者 韩尧 胡少勤 史榜春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第5期329-331,共3页
采用 2种不同的炉膛结构设计。温场试验表明温场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异 ,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验 ,得到了理想的微凸界面 ,生长出高质量的 Bi4Ge3 O1 2 单晶。
关键词 多管下降炉 温场 凸界面 单晶 晶体生长
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