多组分掺杂单层结构有机光导体研究

研究以联苯醌衍生物作为电子传输材料（ETM）与空穴传输材料（HTM）、电荷产生材料（CGM）和成膜树脂进行匹配，制备了三组分掺杂和双组分掺杂的单层结构有机光导体，系统地研究了电荷传输材料对单层结构有机光导体静电照相性能的影响。研究结果表明，光导体的的半衰曝光量对电子传榆材料的掺杂浓度具有强烈的依赖性，半衰曝光量首先随ETM浓度的增大而减小，在780nm处，三组分掺杂光导体最低半衰曝光量为2．2μJ／cm（正充电），负充电半衰曝光量为2．8μJ／cm（负充电）：双组分掺杂正充电光导体的半衰曝光量为0．59μJ/cm^2，负充电光导体的半衰曝光量为9．6μJ／cm^2。

多组分掺杂ZnO薄膜的微观结构及电学性能研究

采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上制备多组分掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度和氧分压对Bi、Cr、Sb、Mn和Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,ZnO(002)衍射峰相对强度先增强后减弱;薄膜表面粗糙度先减小后增大。随着氧分压的增大,ZnO的(101)、(102)和(103)衍射峰消失,薄膜呈优异的(002)择优取向生长。在衬底温度为300℃、氧分压为50%时,Bi、Cr、Sb、Mn和Co所引起的缺陷和氧过剩引起的本征缺陷,共同形成受主态的复合缺陷,导致晶界势垒激增。此时,薄膜有最优化的压敏电压、非线性常数和漏电流,分别达到7.05V、20.83和0.58μA/mm^2。