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一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带 被引量:20
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作者 安丽萍 刘念华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1083-1085,共3页
利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱 以 33个周期的 1/ 4波堆存在 5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算 结果表明 ,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时 ,将在截止带中产生多个缺陷模 这些缺陷模构... 利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱 以 33个周期的 1/ 4波堆存在 5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算 结果表明 ,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时 ,将在截止带中产生多个缺陷模 这些缺陷模构成的杂质能带依赖于缺陷在晶体中的分布 当缺陷密集时 ,缺陷模耦合较强 ,杂质带中透射峰相距较远 ,它们对应禁带中许多分立定域的杂质能级 ;当缺陷稀疏时 ,缺陷模耦合较弱 ,透射峰相距较近 ,分立的杂质能级趋于简并 。 展开更多
关键词 一维光子晶体 缺陷 杂质带 多缺陷耦合 透射谱 传输矩阵
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