多芯片LED器件热学特性分析

由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律。本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温。通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及4颗芯片在负载不同电功率(0.3~1.2 W)情况下,结温的测试值和计算值的最小误差值为0.8%,最大误差值为6.8%,平均误差值为3.4%,计算结果与测试结果基本保持一致,因此有利论证了多芯片LED热学模型可为评价多芯片LED器件热学性能提供重要的参考作用,有助于更全面分析多芯片LED热阻内部芯片之间的热耦合效应。该实验结果为准确预测多芯片LED器件内部结温提供了重要理论依据。

多芯片并联压接式IGBT热–力不均对电流分布的影响分析及建模

压接式IGBT作为换流阀的关键部件被广泛用于柔性直流输电,其可靠性直接影响电力装备和输电系统的安全稳定运行。针对器件寄生参数、多场耦合和制造工艺等因素产生的内部参数分布不均,进而影响器件可靠性的问题,文中提出利用单芯片压接式器件并联等效的方法来探究不同加载条件下多芯片器件内部压力、温度不均对电流分布的影响规律,并建立多芯片压接式IGBT器件电流分布计算模型。在详细分析温度、压力对器件内部电流分布影响机制的基础上,建立多芯片并联器件模拟平台,研究温度、压力分布不均程度对电流分布的影响。根据结温热敏参数的线性关系及压力对接触电阻的影响,建立多芯片并联压接式IGBT器件的电流分布计算模型,并通过试验和3300V/1500A器件多物理场耦合仿真模型验证电流分布计算模型有效性,为压接式IGBT的结构及封装优化、状态监测和寿命预测提供理论和技术支撑。

我国后端电子制造装备及其关键零部件发展研究

电子制造产业是我国经济的战略性、基础性、先导性支柱产业,在当前世界电子制造产业重塑供应链、生态链的变革期,开展后端电子制造装备及其关键零部件发展研究在支持相关产业高质量发展方面具有重要价值。本文梳理了国内外电子工业后端制造装备产业的发展现状与趋势,概括了电子器件“高密度、微型化”,制造过程“高效率、低成本”等国际技术竞争特征,凝练了我国电子制造装备行业面临的自主基础技术薄弱、市场竞争模式单一、进口依赖严重等问题,从关键工艺、核心装备及零部件角度着手,整理出我国亟待重点攻关的12类主要技术领域及其基本内容。为更准确地了解我国电子后端制造产业的过程与状态,本文选取了4家具有代表性的大、中、小型电子制造企业进行实证分析,总结了其各自发展战略和发展经验,明确了坚持创新联动、掌握关键技术、努力创造市场迭代机会等对于企业发展的重要性。最后,本文从顶层设计、产业布局、市场竞争、企业发展、技术创新、人才培养等层面,提出了我国电子后端制造装备及其关键零部件的发展建议,以期为相关行业高质量发展提供参考。